プラズマ処理方法、プラズマ処理装置及び半導体装置の製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：三好秀和 (外7名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001248257
Publication number (International publication number)：2003059918
Application date： Aug. 17, 2001
Publication date： Feb. 28, 2003
Summary：

【要約】【課題】異方性成膜特性や異方性エッチング特性が改善されたプラズマ処理方法及びプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】真空排気可能な反応室(1,2)、反応室内に配置された基板5を配置するための基板ホルダ(4a,4b,4c,4d)、反応室に接続された、反応室内を減圧にする真空排気配管13と、斜め上方向を向いた複数本の第1ノズル801,・・・・・,807,・・・・・、水平方向を向いた複数の第2ノズル901,・・・・・,905,・・・・・、反応室の内部にプラズマを生成するための高周波電界印加手段(3,6)とを少なくとも有する。第1ノズルからは、基板5の表面反応に必要な第1イオン種を生成する原料となる第1のガスが導入される。第2ノズルからは、第1イオン種よりスパッタ効率の高い第2イオン種を生成する原料となる第2のガスが導入される。

Claim (excerpt)：

反応室内に基板を配置し、前記反応室の頂部と前記基板の間に、前記基板に隣接したイオン走行領域、該イオン走行領域に隣接した第1低密度プラズマ形成領域、該第1低密度プラズマ形成領域に隣接した高密度プラズマ形成領域、及び該高密度プラズマ形成領域と前記反応室の頂部に挟まれた第2低密度プラズマ形成領域を位置させ、前記高密度プラズマ形成領域のプラズマを用いた前記基板の表面反応により、前記基板上に成膜若しくは前記基板をエッチングする方法であって、前記反応室内に前記基板を配置するステップと、前記反応室内を減圧にするステップと、前記反応室の側壁部に設けられ、前記第1低密度プラズマ形成領域に根本部を有し、先端部が前記高密度プラズマ形成領域方向に向かうノズルを用い、前記基板表面の仰角方向に、前記表面反応に必要な第1イオン種を生成する化合物ガスのみから実質的になる第1のガスを噴射するステップと、前記第1のガスを噴射するステップと同時に、前記第1低密度プラズマ形成領域において、前記基板の表面に対して平行方向に、前記成膜若しくはエッチングされる物質に対するスパッタ効率が、前記第1イオン種より高い第2イオン種を生成する第2のガスを噴射するステップと、前記高密度プラズマ形成領域、第1及び第2の低密度プラズマ形成領域に高周波電界を印加することにより、前記高密度プラズマ形成領域に前記第1イオン種が高密度に生成された高密度プラズマを生成し、前記第1及び第2の低密度プラズマ形成領域に低密度プラズマを生成し、前記第1イオン種を前記イオン走行領域を介して前記基板の表面に到達させ、前記第1イオン種による前記表面反応を生じさせるステップとを含むことを特徴とするプラズマ処理方法。

IPC (4)：

H01L 21/31 , C23C 16/455 , H01L 21/3065 , H05H 1/46

FI (5)：

H01L 21/31 C , C23C 16/455 , H05H 1/46 C , H05H 1/46 L , H01L 21/302 B

F-Term (50)：

4K030AA02 , 4K030AA05 , 4K030AA06 , 4K030AA09 , 4K030AA11 , 4K030AA13 , 4K030AA14 , 4K030AA16 , 4K030AA17 , 4K030AA18 , 4K030BA44 , 4K030CA04 , 4K030EA05 , 4K030EA06 , 4K030FA01 , 4K030FA02 , 4K030FA04 , 4K030KA20 , 4K030LA15 , 5F004AA01 , 5F004AA05 , 5F004BA13 , 5F004BA14 , 5F004BB13 , 5F004BB20 , 5F004BB22 , 5F004BB25 , 5F004BB28 , 5F004BB29 , 5F004CA02 , 5F004DA00 , 5F004DA16 , 5F045AA08 , 5F045AB01 , 5F045AB03 , 5F045AB32 , 5F045AB33 , 5F045AC01 , 5F045AC05 , 5F045AC07 , 5F045AC11 , 5F045AC12 , 5F045AC14 , 5F045DP03 , 5F045DP04 , 5F045EF09 , 5F045EH11 , 5F045EH16 , 5F045EH17 , 5F045EJ03

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

成膜方法及び成膜装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-263631 Applicant：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド

Cited by examiner (1)

成膜方法及び成膜装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-263631 Applicant：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド

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