成膜方法及び成膜装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：長谷川芳樹 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000263631
Publication number (International publication number)：2001168090
Application date： Aug. 31, 2000
Publication date： Jun. 22, 2001
Summary：

【要約】【課題】被処理基板に発生するプラズマダメージを低減することができる成膜方法及び成膜装置を提供する。【解決手段】処理チャンバ2内にプラズマを発生させた状態で、SiH4ガスとO2ガスとArガスとを含む成膜ガスを処理チャンバ2内に導入し、ウェハWの成膜処理を行う場合、まず、SiH4ガスをトップノズル20のみから供給すると共に、O2ガス及びArガスをトップノズル20及びサイドノズル24から供給する。そして、所定時間経過後、SiH4ガス、O2ガス及びArガスをそれぞれトップノズル20及びサイドノズル24から供給する。これにより、成膜初期時には、ウェハWの表面における中央部に形成される絶縁膜の膜厚が周辺部に形成される絶縁膜の膜厚よりも大きくなる。

Claim (excerpt)：

処理チャンバ内にプラズマを発生させると共に、前記処理チャンバ内に成膜ガスを導入することによって、前記処理チャンバ内に収容された被処理基板の表面に絶縁膜を形成する成膜方法であって、成膜を開始してから所定の期間、前記被処理基板の表面における中心部を含む第1領域に形成される前記絶縁膜の膜厚が前記第1領域の外側の第2領域に形成される前記絶縁膜の膜厚よりも大きくなるように、前記成膜ガスを前記被処理基板の表面に向けて供給する成膜方法。

IPC (4)：

H01L 21/31 , C23C 16/455 , H01L 21/316 , H01L 21/318

FI (4)：

H01L 21/31 C , C23C 16/455 , H01L 21/316 X , H01L 21/318 B

F-Term (36)：

4K030AA06 , 4K030AA14 , 4K030BA44 , 4K030EA06 , 4K030FA04 , 4K030JA01 , 4K030KA24 , 4K030KA41 , 4K030LA02 , 5F045AA08 , 5F045AB32 , 5F045AB33 , 5F045AC01 , 5F045AC03 , 5F045AC11 , 5F045AC12 , 5F045AC15 , 5F045AC16 , 5F045BB16 , 5F045DP03 , 5F045DP04 , 5F045EE12 , 5F045EE14 , 5F045EE17 , 5F045EE18 , 5F045EH11 , 5F058BA06 , 5F058BA20 , 5F058BC02 , 5F058BC08 , 5F058BF07 , 5F058BF23 , 5F058BF29 , 5F058BF30 , 5F058BF37 , 5F058BG02

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

プラズマ処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-012811 Applicant：株式会社日立製作所
特開平4-230032
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-216507 Applicant：日本電装株式会社

Cited by examiner (3)

プラズマ処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-012811 Applicant：株式会社日立製作所
特開平4-230032
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-216507 Applicant：日本電装株式会社

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