GaN系化合物半導体製造用アンモニア製品、GaN系化合物半導体の製造方法及びGaN系化合物半導体製造用アンモニアの製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (6)：志賀正武 , 高橋詔男 , 渡邊隆 , 鈴木三義 , 西和哉 , 村山靖彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007227905
Publication number (International publication number)：2007335899
Application date： Sep. 03, 2007
Publication date： Dec. 27, 2007
Summary：

【課題】本発明は、発光特性に優れたGaN系化合物半導体を確実に製造することができるGaN系化合物半導体の製造方法の提供、及びGaN系化合物半導体製造用アンモニア製品及びGaN系化合物半導体製造用アンモニアの製造方法の提供を目的とする。【解決手段】充填容器18と、充填容器18内に少なくとも一部が液体となるように充填されたアンモニアを具備し、該液相のアンモニア中の水分濃度が、0.5volppm以下であることを特徴とするGaN系化合物半導体製造用アンモニアであって、充填容器18の材料が、マンガン鋼またはアルミニウム合金であることを特徴とする。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

充填容器と、該充填容器内に少なくとも一部が液体となるように充填されたアンモニアを具備し、該液相のアンモニア中の水分濃度が、0.5volppm以下であることを特徴とするGaN系化合物半導体製造用アンモニア製品であって、該充填容器の材料が、マンガン鋼またはアルミニウム合金であることを特徴とするGaN系化合物半導体製造用アンモニア製品。

IPC (3)：

H01L 21/205 , C01C 1/02 , C23C 16/34

FI (3)：

H01L21/205 , C01C1/02 E , C23C16/34

F-Term (25)：

4K030AA06 , 4K030AA11 , 4K030AA13 , 4K030AA17 , 4K030AA18 , 4K030BA02 , 4K030BA08 , 4K030BA11 , 4K030BA21 , 4K030BA38 , 4K030BB12 , 4K030CA05 , 4K030CA12 , 4K030DA03 , 4K030EA01 , 4K030FA10 , 4K030JA06 , 4K030LA14 , 5F045AA04 , 5F045AB09 , 5F045AB14 , 5F045AC01 , 5F045AC07 , 5F045AC12 , 5F045AF09

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

アンモニア中の水分の除去方法および装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-334099 Applicant：大陽東洋酸素株式会社
化合物半導体エピタキシャルウエハ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-282524 Applicant：昭和電工株式会社
ステンレス鋼及びその製造方法並びに減圧装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-004165 Applicant：大見忠弘, 三菱商事株式会社

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