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J-GLOBAL ID：200903089979539815

化合物半導体エピタキシャルウエハ

Inventor：
宇田川 隆

About 宇田川 隆


Applicant, Patent owner：
昭和電工株式会社

About 昭和電工株式会社


Agent (1)： 矢口 平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996282524
Publication number (International publication number)：1998125608
Application date： Oct. 24, 1996
Publication date： May. 15, 1998
Summary：
【要約】【課題】 バッファ層上に成長したIII 族窒化物層から構成される化合物半導体エピタキシャルウエハにあって、特に、素子特性の均一化を帰結する結晶性及び表面状態に優れるIII 族窒化物成長層を提供する。【解決手段】 結晶基板表面上に積層したIII 族窒化物半導体からなるバッファ層と、該バッファ層上に積層したIII 族窒化物半導体からなるエピタキシャル層とから構成される化合物半導体エピタキシャルウエハに於いて、該バッファ層が単結晶粒の集合体からなり、前記バッファ層を構成する単結晶粒は、as-grown状態で相互に接合する側面を迂曲として合着し、かつ頂部の天板部を略平担若しくは曲面状としてなるものとする。また、該単結晶粒が、単結晶面の積層方向(配向方向)が互いになす角度を30度以内として接合してなるものとする。
Claim (excerpt)：
結晶基板表面上に積層したIII 族窒化物半導体からなるバッファ層と、該バッファ層上に積層したIII 族窒化物半導体からなるエピタキシャル層とから構成される化合物半導体エピタキシャルウエハに於いて、該バッファ層が単結晶粒の集合体からなり、前記バッファ層を構成する単結晶粒は、as-grown状態で相互に接合する側面を迂曲として合着し、かつ頂部の天板部を略平担若しくは曲面状としてなることを特徴とする化合物半導体エピタキシャルウエハ。
IPC (2)：
H01L 21/205 ,  H01L 21/20
FI (2)：
H01L 21/205 ,  H01L 21/20
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
  • GaN薄膜の形成方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-045405   Applicant：理化学研究所
  • 窒化ガリウム系半導体の製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-066110   Applicant：松下電器産業株式会社
  • 被覆部材
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-324170   Applicant：京セラ株式会社
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