化合物半導体装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：上代哲司 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993031626
Publication number (International publication number)：1994244218
Application date： Feb. 22, 1993
Publication date： Sep. 02, 1994
Summary：

【要約】【目的】変調ドープ構造の電界効果型トランジスタにおいて、キャリア供給層よりもバンドギャップが大きい化合物半導体層よりなるエネルギ供給層を挿入して、リーク電流を減少させる。【構成】キャリア供給層としてInAlAs層151、152を用いた変調ドープ構造の電界効果型トランジスタにおいて、キャリア供給層151、152の間にAlAsエネルギ障壁層を挿入した化合物半導体装置。

Claim (excerpt)：

変調ドープ構造の電界効果型トランジスタにおいて、キャリア供給層又はバッファ層の中もしくはこれらの層に隣接して、キャリア供給層又はバッファ層よりもバンドギャップが大きい化合物半導体層を挿入したことを特徴とする化合物半導体装置。

IPC (2)：

H01L 21/338 , H01L 29/812

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

特開平4-184940
特開平4-062852
特開平1-256176

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