プラズマ処理装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小林良平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996060146
Publication number (International publication number)：1997228056
Application date： Feb. 21, 1996
Publication date： Sep. 02, 1997
Summary：

【要約】【課題】簡単な構成でありながら広い面積でプラズマ密度を均一化することができ、しかも調整が容易なプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】周辺部から中心部にかけて徐々に被処理物20の表面から離れるような渦巻形状(インバーテッド・トルネード形状)を有する励起コイル15を設ける。また、その中心部を、被処理物20の表面に平行に及び/又は垂直に移動させるための機構30を設ける。これにより、コイル15下部において磁場を変化させるための自由度が増え、磁場の均一化、すなわちプラズマ密度の均一化が容易となる。

Claim (excerpt)：

周辺部から中心部にかけて徐々に被処理物の表面から離れるような渦巻形状を有する励起コイルを備えたプラズマ処理装置。

IPC (5)：

C23C 16/50 , C23F 4/00 , H01L 21/205 , H01L 21/3065 , H05H 1/46

FI (5)：

C23C 16/50 , C23F 4/00 A , H01L 21/205 , H05H 1/46 A , H01L 21/302 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

高融点金属層のCVD方法およびそのCVD装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-062805 Applicant：ソニー株式会社
高周波磁場励起処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-344666 Applicant：日本電気株式会社

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