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J-GLOBAL ID：200903007084930644

膜形成用組成物、膜の形成方法および低密度化膜

Inventor：
黒澤 孝彦

About 黒澤 孝彦

, 
林 英治

About 林 英治

, 
塩田 淳

About 塩田 淳

, 
山田 欣司

About 山田 欣司


Applicant, Patent owner：
ジェイエスアール株式会社

About ジェイエスアール株式会社


Agent (1)： 白井 重隆
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999367062
Publication number (International publication number)：2001181570
Application date： Dec. 24, 1999
Publication date： Jul. 03, 2001
Summary：
【要約】【課題】 膜厚均一性に優れた塗膜が形成可能で、誘電率特性、耐吸水性に優れ、またCMP耐性に優れ、かつ組成物の基板への塗布性が改良された、半導体素子などにおける層間絶縁膜として有用な膜形成用組成物を提供すること。【解決手段】 (A)Ra Si(OR1 )4-a で表される化合物、Si(OR2)4 で表される化合物、およびR3 b (R4 O)3-b Si-(R7 )d -Si(OR5 )3-c R6 c で表される化合物の群から選ばれた少なくとも1種のシラン化合物をアルカリ触媒の存在下で加水分解し、縮合した加水分解縮合物、ならびに(B)界面活性剤、を含有する膜形成用組成物。
Claim (excerpt)：
(A)下記一般式(1)で表される化合物、下記一般式(2)で表される化合物、および下記一般式(3)で表される化合物の群から選ばれた少なくとも1種のシラン化合物をアルカリ触媒の存在下で加水分解し、縮合した加水分解縮合物、ならびにRa Si(OR1 )4-a ・・・・・(1)(式中、Rは水素原子、フッ素原子または1価の有機基、R1 は1価の有機基、aは1〜2の整数を示す。)Si(OR2 )4 ・・・・・(2)(式中、R2 は1価の有機基を示す。) R3 b (R4 O)3-b Si-(R7 )d -Si(OR5 )3-c R6 c ・・・・・(3)〔式中、R3 〜R6 は同一または異なり、それぞれ1価の有機基、bおよびcは同一または異なり、0〜2の数を示し、R7 は酸素原子、フェニレン基または-(CH2 )n -で表される基(ここで、nは1〜6の整数である)、dは0または1を示す。〕(B)成分;界面活性剤を含有することを特徴とする膜形成用組成物。
IPC (11)：
C09D183/04 ,  C08G 77/02 ,  C08G 77/04 ,  C08J 5/18 CFH ,  C08K 5/00 ,  C08L 83/02 ,  C08L 83/04 ,  C09D 5/02 ,  C09D 7/12 ,  H01L 21/312 ,  H01L 21/316
FI (11)：
C09D183/04 ,  C08G 77/02 ,  C08G 77/04 ,  C08J 5/18 CFH ,  C08K 5/00 ,  C08L 83/02 ,  C08L 83/04 ,  C09D 5/02 ,  C09D 7/12 Z ,  H01L 21/312 C ,  H01L 21/316 G
F-Term (99)：
4F071AA66 ,  4F071AA66X ,  4F071AA67 ,  4F071AA67X ,  4F071AA81 ,  4F071AA82 ,  4F071AE10 ,  4F071AF10 ,  4F071AF20 ,  4F071AF40 ,  4F071AH12 ,  4F071BA03 ,  4F071BB02 ,  4F071BC02 ,  4J002BG012 ,  4J002CH052 ,  4J002CP011 ,  4J002CP021 ,  4J002CP031 ,  4J002CP032 ,  4J002CP041 ,  4J002CP051 ,  4J002CP081 ,  4J002CP141 ,  4J002CP182 ,  4J002EB066 ,  4J002EC037 ,  4J002EC047 ,  4J002ED027 ,  4J002ED037 ,  4J002ED046 ,  4J002EE037 ,  4J002EE047 ,  4J002EH007 ,  4J002EH037 ,  4J002EH047 ,  4J002EH097 ,  4J002EH147 ,  4J002EH157 ,  4J002EN136 ,  4J002EP016 ,  4J002EP017 ,  4J002EU027 ,  4J002EU077 ,  4J002EU237 ,  4J002EV256 ,  4J002EW046 ,  4J002FD312 ,  4J002FD316 ,  4J002GH00 ,  4J002GQ05 ,  4J035AA01 ,  4J035AA02 ,  4J035AA03 ,  4J035BA01 ,  4J035BA02 ,  4J035BA03 ,  4J035BA04 ,  4J035BA05 ,  4J035BA06 ,  4J035BA11 ,  4J035BA12 ,  4J035BA13 ,  4J035BA14 ,  4J035BA15 ,  4J035BA16 ,  4J035CA022 ,  4J035CA112 ,  4J035CA142 ,  4J035CA152 ,  4J035CA192 ,  4J035EB03 ,  4J035HA01 ,  4J035HA02 ,  4J035JA01 ,  4J035LB01 ,  4J035LB02 ,  4J035LB03 ,  4J035LB20 ,  4J038DL031 ,  4J038DL051 ,  4J038DL071 ,  4J038KA09 ,  4J038MA10 ,  4J038NA06 ,  4J038NA17 ,  4J038NA21 ,  4J038PB09 ,  4J038PC03 ,  5F058AA03 ,  5F058AA04 ,  5F058AA10 ,  5F058AC03 ,  5F058AF04 ,  5F058AG01 ,  5F058AH01 ,  5F058AH02 ,  5F058BF46 ,  5F058BH01
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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