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J-GLOBAL ID：200903007088509382

半導体発光素子、半導体発光モジュール、およびこれらの製造方法

Inventor： 尺田 幸男 ,  松本 幸生 ,  中田 俊次
Applicant, Patent owner： ローム株式会社
Agent (1)： 吉田 稔 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997359251
Publication number (International publication number)：1999191642
Application date： Dec. 26, 1997
Publication date： Jul. 13, 1999
Summary：

【要約】【課題】 素子全体の薄型化を実現することができる半導体発光素子を提供する。【解決手段】 化合物半導体の結晶からなる半導体積層部12をチップ状として備えた半導体発光素子Aであって、上記半導体積層部12からその結晶成長に用いられた基板が除去された状態で、その半導体積層部12を接合搭載する薄片状のベース部材2と、上記ベース部材2の上記半導体積層部12を接合搭載する表面2aに、異なる極性の電極端子部3a,3bを有して形成された導電膜3と、上記導電膜3の電極端子部3aと上記半導体積層部12とを導通接続する導電部材4とを備えている。

Claim (excerpt)：

化合物半導体の結晶からなる半導体積層部をチップ状として備えた半導体発光素子であって、上記半導体積層部からその結晶成長に用いられた基板の全部またはその一部が除去された状態で、その半導体積層部を接合搭載する薄片状のベース部材と、上記ベース部材の上記半導体積層部を接合搭載する表面に、異なる極性の電極端子部を有して形成された導電膜と、上記導電膜の電極端子部それぞれと上記半導体積層部とを導通接続する導電部材と、を備えたことを特徴とする、半導体発光素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 発光ダイオード
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-294547   Applicant：日本電気株式会社
• 発光ダイオードチツプの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-321355   Applicant：住友電気工業株式会社
• チップ形発光ダイオード
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-184405   Applicant：ローム株式会社