透明導電膜の形成方法

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Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998100530
Publication number (International publication number)：1999279756
Application date： Mar. 26, 1998
Publication date： Oct. 12, 1999
Summary：

【要約】【目的】基材上にITO膜を成膜するにおいて基材を高温に加熱する必要がなく、光線透過率が高く、しかも低比抵抗のITO膜を形成する方法を提供すること。【構成】酸化インジウムに酸化錫をドープした焼結ターゲット、または、インジウムに錫をドープした金属ターゲットを用いて、酸素雰囲気中で基板上にITOからなる透明導電膜を形成するイオンビームスパッタ法において、アシスト用イオンビームガンを用いてヘリウムからなるアシストガスをイオン化しつつ基板面に照射し、基板上にITO膜を形成することを特徴とする透明導電膜の形成方法。

Claim (excerpt)：

酸化インジウムに酸化錫をドープした焼結ターゲット、またはインジウムに錫をドープした金属ターゲットを用いて、酸素雰囲気中で基板上にITOからなる透明導電膜を形成するイオンビームスパッタ法において、成膜時にアシスト用イオンビームガンを用いてヘリウムからなるアシストガスをイオン化しつつ基板面に照射しながらITO膜を形成することを特徴とする透明導電膜の形成方法。

IPC (4)：

C23C 14/34 , C01G 19/00 , C23C 14/48 , H01B 13/00 503

FI (4)：

C23C 14/34 N , C01G 19/00 A , C23C 14/48 D , H01B 13/00 503 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

膜の作製方法および膜の改質方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-208791 Applicant：株式会社日立製作所

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