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J-GLOBAL ID：200903007117929914

低温焼成セラミック基板

Inventor： 森 邦彦 ,  稲垣 潔 ,  沢田 孝二
Applicant, Patent owner： 株式会社住友金属エレクトロデバイス
Agent (1)： 加古 宗男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996122938
Publication number (International publication number)：1997307205
Application date： May. 17, 1996
Publication date： Nov. 28, 1997
Summary：

【要約】【課題】 表層導体の電極部の半田濡れ性や耐半田性を良好に確保しながら、低コスト化も実現する。 【解決手段】 低温焼成セラミック基板11の表面には、表層導体としてAg/Pd層16のパターンが印刷・焼成されている。このAg/Pd層16のパターンのうち、少なくとも半田付けの対象となる電極部17上には、Ag/Pt層18が印刷・焼成されている。従って、半田付けの対象となる電極部17は、下層をAg/Pd層16とし、上層をAg/Pt層18とする二層構造となっている。上層のAg/Pt層18の厚みを3〜15μmとし、Pt含有量を0.5〜1.5%とすることが好ましい。

Claim (excerpt)：

1000°C以下で焼成されて成る低温焼成セラミック基板において、基板表層に形成する表層導体のうちの少なくとも半田付けの対象となる電極部は、下層をAg/Pd層、上層をAg/Pt層とする二層構造となっていることを特徴とする低温焼成セラミック回路基板。

IPC (4)：

H05K 1/09 ,  H05K 1/03 610 ,  H05K 3/46 ,  H05K 3/12

FI (5)：

H05K 1/09 C ,  H05K 1/03 610 D ,  H05K 3/46 S ,  H05K 3/46 H ,  H05K 3/12 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭52-110469
  
• 低温焼成多層回路基板外部導体用ペースト
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-287558   Applicant：旭化成工業株式会社