半導体ウェーハを流体中で処理する方法および装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：杉村暁秀 (外1名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1995504711
Publication number (International publication number)：1997501017
Application date： Jul. 15, 1994
Publication date： Jan. 28, 1997
Summary：

【要約】半導体ウェーハから有機物質を除去する方法を提供する。この方法は、周囲以下の脱イオン水を用いることを含み、オゾンをこの水中に吸収させる。オゾン含有水は、ウェーハ上に流れ、オゾンは、ウェーハからの有機物質を不溶性ガスに酸化する。オゾン含有水は、その場で、オゾンを、ウェーハおよび周囲以下の脱イオン水を含むタンク中に拡散させることにより製造することができる。また、半導体ウェーハ(14)を流体で処理するためのタンク(13)および、ガスを、ウェーハ処理タンク(13)中の流体中に直接拡散させるためのガスディフューザー(4)を提供する。

Claim (excerpt)：

有機物質を半導体ウェーハから除去するにあたり、ウェーハを、オゾンおよび水の溶液と、約1〜約15°Cの温度で接触させることを特徴とする、有機物質を半導体ウェーハから除去する方法。

IPC (7)：

H01L 21/304 341 , B08B 3/10 , C02F 1/32 , C02F 1/72 101 , C02F 1/78 , C23G 5/00 , H01L 21/306

FI (8)：

H01L 21/304 341 M , B08B 3/10 Z , C02F 1/32 , C02F 1/72 101 , C02F 1/78 , C23G 5/00 , H01L 21/306 D , H01L 21/306 J

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

特開平3-136329
基板処理方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-315068 Applicant：クロリンエンジニアズ株式会社
特開平1-132126

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