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J-GLOBAL ID：200903007234970941

電界効果トランジスタを用いた電圧発生回路及び基準電圧源回路

Inventor： 渡辺 博文 ,  安藤 俊輔
Applicant, Patent owner： 株式会社リコー
Agent (1)： 伊東 忠彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000386059
Publication number (International publication number)：2001284464
Application date： Dec. 19, 2000
Publication date： Oct. 12, 2001
Summary：

【要約】【課題】80°C以上の高温でも安定動作する電界効果トランジスタを用いた電圧発生回路を実現すること。【解決手段】VCCとGNDの間に、高濃度のn型ポリシリコンゲートを持つデプレッション型MOSトランジスタM2と低濃度のn型ポリシリコンをゲートに有するデプレッション型MOSトランジスタM1を直列に接続する。MOSトランジスタM2のゲートとソースを結線し(定電流結線:VGS2=0)。MOSトランジスタM2のゲートとソースの結線部にゲートを、VCCにドレインを、MOSトランジスタM1のゲートにゲートをそれぞれ接続したn型チャネルMOSトランジスタM3を設ける。MOSトランジスタM1のゲートの電圧がVPTAT=UTln(Ng2/Ng1)となる。

Claim (excerpt)：

少なくとも一部が同一の導電型で不純物の濃度の異なるゲートを有する複数の電界効果トランジスタを用いたことを特徴とする電圧発生回路。

IPC (6)：

H01L 21/8234 ,  H01L 27/088 ,  G05F 3/24 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/8236

FI (7)：

G05F 3/24 B ,  H01L 27/08 102 J ,  H01L 27/04 B ,  H01L 27/04 V ,  H01L 27/08 102 C ,  H01L 27/08 311 C ,  H01L 27/08 311 D

F-Term (33)：

5F038AR21 ,  5F038AV03 ,  5F038AV06 ,  5F038AV10 ,  5F038AZ08 ,  5F038BB02 ,  5F038BB04 ,  5F038BB08 ,  5F038BG06 ,  5F038DF01 ,  5F038EZ17 ,  5F038EZ20 ,  5F048AA00 ,  5F048AA07 ,  5F048AB08 ,  5F048AB10 ,  5F048AC02 ,  5F048AC03 ,  5F048AC10 ,  5F048BB04 ,  5F048BB06 ,  5F048BB07 ,  5F048BB14 ,  5F048BD02 ,  5F048BD04 ,  5F048BE04 ,  5H420NA17 ,  5H420NB02 ,  5H420NB22 ,  5H420NB25 ,  5H420NC14 ,  5H420NC33 ,  5H420NE23

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• 特開平3-153079
  
• 半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-041740   Applicant：松下電器産業株式会社
• 基準電圧発生回路
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-089018   Applicant：シチズン時計株式会社

Cited by examiner (4)

• 特開平3-153079
  
• 特開平3-153079
  
• 半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-041740   Applicant：松下電器産業株式会社
• 基準電圧発生回路
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-089018   Applicant：シチズン時計株式会社