酸化シリコン膜の形成方法及びその形成装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：後藤洋介 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000211005
Publication number (International publication number)：2002025998
Application date： Jul. 12, 2000
Publication date： Jan. 25, 2002
Summary：

【要約】【課題】気相化学反応を用いるリモートプラズマCVD成膜において、励起酸素分子や励起酸素原子といった特定種の量を意図的に制御して、高品質の酸化シリコン膜を形成する方法を提供する。【解決手段】酸素原子を含むガス150のプラズマを形成するプラズマ生成領域170と、プラズマ生成領域外で被堆積基板30を設置する基板保持機構20を有し、かつプラズマ生成領域170と被堆積基板30の間でシリコン原子を含むガス140を供給する手段を有するプラズマCVD装置を用いて酸化シリコン膜を形成するプラズマCVD成膜方法において、プラズマ生成領域107と被堆積基板30との間の領域の発光分光スペクトルを測定したときに、761nm付近の発光ピークの面積A(O2)と777nm付近の発光ピークの面積A(O)との関係が、10*A(O2)>A(O)の関係にある。

Claim (excerpt)：

酸素原子を含むガスのプラズマを形成するプラズマ生成領域と、プラズマ生成領域と分離され、かつ基板との間に形成された、シリコン原子を含むガスが供給される成膜領域とを有し、プラズマCVD法による気相化学反応を用いて酸化シリコン膜を基板上に堆積する酸化シリコン膜の形成方法において、上記成膜領域には、励起した酸素分子と励起した酸素原子とが存在し、この励起した酸素分子の量と励起した酸素原子の量を意図的に制御するようにしたことを特徴とする酸化シリコン膜の形成方法。

IPC (4)：

H01L 21/31 , C01B 33/12 , C23C 16/40 , H01L 21/316

FI (4)：

H01L 21/31 C , C01B 33/12 Z , C23C 16/40 , H01L 21/316 X

F-Term (49)：

4G072AA25 , 4G072BB09 , 4G072HH03 , 4G072HH04 , 4G072HH30 , 4G072JJ03 , 4G072JJ34 , 4G072NN13 , 4G072RR11 , 4G072UU01 , 4K030AA06 , 4K030AA14 , 4K030BA44 , 4K030EA06 , 4K030FA03 , 4K030HA16 , 4K030JA06 , 4K030KA39 , 4K030LA18 , 5F045AA08 , 5F045AA09 , 5F045AA10 , 5F045AB32 , 5F045AC01 , 5F045AC11 , 5F045AE19 , 5F045AF03 , 5F045AF07 , 5F045BB16 , 5F045EC03 , 5F045EF01 , 5F045EF05 , 5F045EH11 , 5F045EH13 , 5F045EH18 , 5F045EH19 , 5F045GB06 , 5F045GB08 , 5F058BA20 , 5F058BC02 , 5F058BF07 , 5F058BF08 , 5F058BF09 , 5F058BF23 , 5F058BF29 , 5F058BG01 , 5F058BG02 , 5F058BG10 , 5F058BJ01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

ラインプラズマ気相堆積装置及び方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-330890 Applicant：シャープ株式会社, リサーチトライアングルインスティチュート

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