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J-GLOBAL ID：200903007246631336

3族窒化物半導体発光素子

Inventor： 佐々 道成 ,  柴田 直樹 ,  浅見 慎也 ,  小池 正好 ,  梅崎 潤一 ,  小澤 隆弘
Applicant, Patent owner： 豊田合成株式会社 ,  株式会社豊田中央研究所
Agent (1)： 藤谷 修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994252896
Publication number (International publication number)：1996097471
Application date： Sep. 20, 1994
Publication date： Apr. 12, 1996
Summary：

【要約】【目的】駆動電圧の低下【構成】サファイア基板1上に、500 ÅのAlN のバッファ層2、膜厚約2.0 μm、電子濃度2 ×1018/cm3のSiドープGaN の高キャリア濃度n+ 層3、膜厚約2.0μm、電子濃度 2×1018/cm3のSiドープの(Alx2Ga1-x2)y2In1-y2N の高キャリア濃度n+ 層4、膜厚約0.5 μm、Mg、Zn及びSiドープの(Alx1Ga1-x1)y1In1-y1Nのp伝導型の発光層5、膜厚約1.0 μm、ホール濃度2 ×1017/cm3のMgドープの(Alx2Ga1-x2)y2In1-y2N のp層61、膜厚約0.2 μm、ホール濃度 5×1017/cm3、Mg濃度1 ×1020/cm3のMgドープのGaN から成る第2コンタクト層62、膜厚約500 Å、ホール濃度 2×1017/cm3、Mg濃度 2×1020/cm3のMgドープのGaN から成る第1コンタクト層63が形成されている。p層61と高キャリア濃度n+ 層4とに、それぞれ、接続するニッケルで形成された電極7と電極8とが形成。

Claim (excerpt)：

3族窒化物半導体(AlxGaYIn1-X-YN;X=0,Y=0,X=Y=0 を含む) で形成されたp伝導型を示すp層、n伝導型を示すn層を有する発光素子において、前記p層に対するコンタクト層であって金属電極に直接接合している層を前記p層よりも高濃度にアクセプタ不純物をドーピングしたことを特徴とする発光素子。

IPC (2)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/205

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 窒素-3属元素化合物半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-316597   Applicant：豊田合成株式会社, 赤崎勇, 天野浩
• 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-079046   Applicant：日亜化学工業株式会社