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J-GLOBAL ID：200903007246959390

GaN膜の成長方法

Inventor：
西川 公人

About 西川 公人


Applicant, Patent owner：
日新電機株式会社

About 日新電機株式会社


Agent (1)： 川瀬 茂樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996335033
Publication number (International publication number)：1998167897
Application date： Nov. 29, 1996
Publication date： Jun. 23, 1998
Summary：
【要約】【課題】 Gaの有機金属とアンモニアを原料としてGaN薄膜を成長させる場合、基板を極めて高温に加熱するから原料ガスの強い対流が起こり反応生成物が基板に付きにくい。ためにGaN膜の生成効率が悪い。原料ガスの対流を抑制し均一な膜質膜厚のGaN薄膜を効率よく生成すること。【解決手段】 水平に延びる内外2重筒の原料ガス供給系を設け途中にウエハーを戴置したサセプタを置く。内筒にはGaの有機金属ガスの供給管と、窒素化合物ガスの供給管を通しキャリアガス(水素)を流す。外筒にも水素ガス(パージガス)を外筒に通す。内筒の上壁に開口を設け傾斜板を取り付けここから外筒を通る水素ガスを下向き5 ゚〜45 ゚に曲げてサセプタの上に吹き出させ、原料ガスをサセプタに強く押しつけ熱対流によって原料ガスが舞い上がるのを防ぐ。パージガスの勢いによって原料ガスをサセプタ側に押し戻し反応が基板上で起こり生成物は基板に着く。
Claim (excerpt)：
原料ガスであるGaの有機金属ガスと、アンモニアガスとを独立に基板の近傍に導き、基板面にほぼ平行流れにして基板に供給し、斜め上方からパージガスをGa有機金属ガスとアンモニアガスに対して傾斜角が5 ゚〜45 ゚の角度になるように吹き付け、原料ガスを基板面に押し付けるようにしてGaN膜を基板面上に形成する事を特徴とするGaN膜の成長方法。
IPC (7)：
C30B 29/38 ,  C23C 16/18 ,  C23C 16/34 ,  C23C 16/44 ,  C30B 25/14 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00
FI (7)：
C30B 29/38 D ,  C23C 16/18 ,  C23C 16/34 ,  C23C 16/44 D ,  C30B 25/14 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (7)
  • 特開平4-164895
  • 気相成長装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-129804   Applicant：ソニー株式会社
  • 特開昭63-176395
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