Pat

J-GLOBAL ID：200903007265386318

半導体圧力センサのゲージ抵抗の位置設定方法

Inventor： 村田 雄一朗 ,  豊田 稲男
Applicant, Patent owner： 株式会社デンソー
Agent (1)： 伊藤 洋二 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000225772
Publication number (International publication number)：2002039888
Application date： Jul. 26, 2000
Publication date： Feb. 06, 2002
Summary：

【要約】【課題】 センサ特性の圧力非直線性NLPを小さくするための効率的な半導体圧力センサのゲージ抵抗の位置設定方法を提供する。【解決手段】 半導体基板1の一面側に形成された圧力検出用のダイヤフラム3と、このダイヤフラム3上に配置されピエゾ抵抗効果により抵抗値が変化する複数のゲージ抵抗41〜44とを備える半導体圧力センサS1において複数のゲージ抵抗41〜44の位置を設定する方法であって、有限要素法解析によって、個々のゲージ抵抗における位置と抵抗値変化率との関係を求めることにより、抵抗値変化の方向が異なるゲージ抵抗RA、RB同士の抵抗値変化率がほぼ等しい位置となるように、複数のゲージ抵抗の位置を設定するものであり、有限要素法解析の際、圧力に対する抵抗値の非直線性誤差を加味して複数のゲージ抵抗の位置を設定する。

Claim (excerpt)：

半導体基板(1)と、この半導体基板(1)の一面側に形成された圧力検出用のダイヤフラム(3)と、このダイヤフラム上に配置されピエゾ抵抗効果により抵抗値が変化する複数のゲージ抵抗(41〜44)とを備え、前記複数のゲージ抵抗は抵抗値変化の方向が異なるゲージ抵抗(RA、RB)を備えており、前記複数のゲージ抵抗により構成されたブリッジ回路によって、前記ダイヤフラムの変形に応じた抵抗値変化を電気信号に変換するようにした半導体圧力センサにおける前記複数のゲージ抵抗の位置を設定する方法であって、有限要素法解析によって、個々の前記ゲージ抵抗における位置と抵抗値変化率との関係を求めることにより、前記抵抗値変化の方向が異なるゲージ抵抗同士の抵抗値変化率がほぼ等しい位置となるように、前記複数のゲージ抵抗の位置を設定するものであり、前記有限要素法解析の際、圧力に対する抵抗値の非直線性誤差を加味して前記複数のゲージ抵抗の位置を設定することを特徴とする半導体圧力センサのゲージ抵抗の位置設定方法。

IPC (2)：

G01L 9/04 101 ,  H01L 29/84

FI (2)：

G01L 9/04 101 ,  H01L 29/84 B

F-Term (11)：

2F055AA40 ,  2F055BB20 ,  2F055CC02 ,  2F055DD04 ,  2F055EE14 ,  2F055FF12 ,  2F055GG16 ,  4M112AA01 ,  4M112BA01 ,  4M112CA09 ,  4M112FA11

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平1-124734
  
• 特開平3-224275
  
• 圧力検出装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-157915   Applicant：株式会社デンソー