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J-GLOBAL ID:200903077170416854
圧力検出装置
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
佐藤 強
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998157915
Publication number (International publication number):1999094666
Application date: Jun. 05, 1998
Publication date: Apr. 09, 1999
Summary:
【要約】【課題】 金属ダイヤフラムと単結晶半導体より成るセンサチップとを組み合わせることにより高圧力を検出可能な構成とする場合において、線膨張係数差に起因した熱応力による悪影響を排除して検出誤差の低減を図ること。【解決手段】 金属製ダイヤフラム1bの上面には、平面形状が正八角形のセンサチップ2が接合される。このセンサチップ2は、面方位がほぼ(100)の単結晶シリコンより成るもので、その上面には、チップ中心Oと直交した状態の2本の<110>軸上に、4個の歪みゲージ抵抗3a〜3dがチップ中心Oを挟んで点対称配置状に形成されている。これら歪みゲージ抵抗3a〜3dは、信号取出用のホイートストンブリッジを構成する。
Claim (excerpt):
受圧用の金属製ダイヤフラム上に、歪みゲージ抵抗を備えた単結晶半導体製のセンサチップを接合して成る圧力検出装置において、前記センサチップの平面形状を、凸n角形(n≧6)若しくは円形に形成したことを特徴とする圧力検出装置。
IPC (2):
G01L 9/04 101
, G01L 19/04
FI (2):
G01L 9/04 101
, G01L 19/04
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (14)
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特開平4-119672
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特開平4-119672
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特開平4-320379
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特開平4-320379
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半導体圧力センサ及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-266967
Applicant:松下電子工業株式会社
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半導体加速度センサの製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-331738
Applicant:株式会社フジクラ
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圧力センサとそれを用いた複合センサ及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-191873
Applicant:株式会社日立製作所
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半導体圧力変換器
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-118955
Applicant:山武ハネウエル株式会社
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特開平3-044530
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特開平4-267566
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特開平4-119672
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特開平4-320379
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特開平3-044530
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特開平4-267566
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