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J-GLOBAL ID：200903007283107884

シリコン導波層を有する磁気光学導波路及びそれを用いた光非相反素子

Inventor：
横井 秀樹

About 横井 秀樹


Applicant, Patent owner：
財団法人理工学振興会

About 財団法人理工学振興会


Agent (3)： 安形 雄三 ,  五十嵐 貞喜 ,  北野 進
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003026730
Publication number (International publication number)：2004240003
Application date： Feb. 04, 2003
Publication date： Aug. 26, 2004
Summary：
【課題】磁気光学効果が高く、かつ他の半導体光素子との一体集積化が容易な磁気光学導波路及びそれを用いた光非相反素子、並びにそれらと他の半導体光素子との集積化により得られる光集積回路を提供する。【解決手段】シリコン結晶からなるコア層と、絶縁体である二酸化珪素からなる第一のクラッド層と、それらを保持する保持材とが、前記二酸化珪素からなる第一のクラッド層を中間層として三層に積層されたSOI基板と、磁性ガーネットからなる第二のクラッド層とが、前記コア層表面においてウェハボンディングによって貼り合わされることにより得られる磁性ガーネット/シリコン/二酸化珪素構造の磁気光学導波路を用いて構成することにより達成される。【選択図】図2
Claim (excerpt)：
シリコン結晶からなるコア層と、絶縁体である二酸化珪素からなる第一のクラッド層と、それらを保持する保持材とが、前記二酸化珪素からなる第一のクラッド層を中間層として三層に積層されたSOI基板と、磁性ガーネットからなる第二のクラッド層とが、前記コア層表面においてウェハボンディングによって貼り合わされることにより得られる磁性ガーネット/シリコン/二酸化珪素構造の磁気光学導波路。
IPC (4)：
G02F1/095 ,  G02B6/12 ,  G02B6/122 ,  G02B27/28
FI (4)：
G02F1/095 ,  G02B27/28 A ,  G02B6/12 L ,  G02B6/12 B
F-Term (22)：
2H047KA06 ,  2H047KB04 ,  2H047LA23 ,  2H047LA26 ,  2H047MA07 ,  2H047NA06 ,  2H047PA21 ,  2H047QA01 ,  2H047QA02 ,  2H047QA04 ,  2H047TA22 ,  2H079AA03 ,  2H079BA02 ,  2H079CA06 ,  2H079DA13 ,  2H079DA16 ,  2H079EA03 ,  2H079EA07 ,  2H079EA13 ,  2H079EB18 ,  2H099AA01 ,  2H099BA03
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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