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J-GLOBAL ID：200903040876517075

光アイソレータ及び光エレクトロニクス装置

Inventor：
水本 哲弥

About 水本 哲弥

, 
横井 秀樹

About 横井 秀樹


Applicant, Patent owner：
東京工業大学長

About 東京工業大学長


Agent (1)： 鈴江 武彦 (外5名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000168945
Publication number (International publication number)：2001350039
Application date： Jun. 06, 2000
Publication date： Dec. 21, 2001
Summary：
【要約】【課題】 素子寸法を短縮化することが可能な光アイソレータを提供する。【解決手段】 基板1上に形成され、屈折率が基板1よりも小さい下クラッド層2と、下クラッド層2が形成された基板上に半導体材料を用いて形成され、第1の導波路及び第2の導波路を有する導波層3と、導波層3上に磁気光学材料を用いて形成され、第1及び第2の導波路を伝搬する光波の少なくとも一方に対して非相反な位相変化を生じさせることにより、第1及び第2の導波路を伝搬する光波どうしに位相差を生じさせる上クラッド層4とを備える。
Claim (excerpt)：
基板上に形成され、屈折率が該基板よりも小さい下クラッド層と、前記下クラッド層が形成された基板上に半導体材料を用いて形成され、第1の導波路及び第2の導波路を有する導波層と、前記導波層上に磁気光学材料を用いて形成され、前記第1及び第2の導波路を伝搬する光波の少なくとも一方に対して非相反な位相変化を生じさせることにより、第1及び第2の導波路を伝搬する光波どうしに位相差を生じさせる上クラッド層と、を備えたことを特徴とする光アイソレータ。
IPC (3)：
G02B 6/12 ,  G02B 6/122 ,  H01S 5/026
FI (3)：
H01S 5/026 ,  G02B 6/12 L ,  G02B 6/12 D
F-Term (14)：
2H047KA03 ,  2H047KA12 ,  2H047KB04 ,  2H047LA26 ,  2H047MA07 ,  2H047NA06 ,  2H047QA02 ,  2H047TA02 ,  2H047TA05 ,  5F073AB11 ,  5F073AB30 ,  5F073CA13 ,  5F073CB02 ,  5F073FA06
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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