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J-GLOBAL ID:200903007300298389

ポジ型感光性ポリベンゾオキサゾール前駆体組成物、パターンの製造方法及びこれを用いた電子部品

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 高田 幸彦 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000027309
Publication number (International publication number):2001214055
Application date: Jan. 31, 2000
Publication date: Aug. 07, 2001
Summary:
【要約】 (修正有)【課題】感度や解像度も良好な耐熱性のポジ型感光性樹脂組成物、上記組成物の使用による、パターンの製造法を提供する。【解決手段】(A)一般式(1)(式中、Aは四価の有機基であり、R1は二価の有機基であり、個々のR2は独立に水素原子又は酸の作用で分解し水素原子に変換し得る一価の有機基であり少なくともその一方は一価の有機基である)で表される構造単位を有するポリベンゾオキサゾール前駆体であって、前記ポリベンゾオキサゾール前駆体により形成される膜が膜厚20μm当たりi線透過率が1%以上であり、かつ、シリコンウエハ上に形成された前記ポリベンゾオキサゾール前駆体の膜をオキサゾール閉環して形成されるポリベンゾオキサゾール膜の残留応力が25MPa以下であるポリベンゾオキサゾール前駆体及び(B)放射線照射により酸を発生する化合物を含有してなるポジ型感光性ポリベンゾオキサゾール前駆体組成物。
Claim (excerpt):
(A)一般式(1)【化1】(式中、Aは四価の有機基であり、R1は二価の有機基であり、個々のR2は独立に水素原子又は酸の作用で分解し水素原子に変換し得る一価の有機基であり少なくともその一方は一価の有機基である)で表される構造単位を有するポリベンゾオキサゾール前駆体であって、前記ポリベンゾオキサゾール前駆体により形成される膜が膜厚20μm当たりi線透過率が1%以上であり、かつ、シリコンウエハ上に形成された前記ポリベンゾオキサゾール前駆体の膜をオキサゾール閉環して形成されるポリベンゾオキサゾール膜の残留応力が25MPa以下であるポリベンゾオキサゾール前駆体及び(B)放射線照射により酸を発生する化合物を含有してなるポジ型感光性樹脂組成物。
IPC (5):
C08L 79/04 ,  C08G 73/22 ,  G03F 7/039 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/312
FI (5):
C08L 79/04 B ,  C08G 73/22 ,  G03F 7/039 ,  H01L 21/312 D ,  H01L 21/30 502 R
F-Term (53):
2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AA10 ,  2H025AB17 ,  2H025AC01 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025BJ00 ,  2H025CB26 ,  2H025CB34 ,  2H025CB41 ,  2H025FA09 ,  2H025FA17 ,  2H025FA29 ,  4J002CM021 ,  4J002EB106 ,  4J002EH146 ,  4J002ES006 ,  4J002EV246 ,  4J002EV286 ,  4J002EV296 ,  4J002GQ00 ,  4J002GQ05 ,  4J043PA02 ,  4J043PA19 ,  4J043QB34 ,  4J043RA52 ,  4J043SA06 ,  4J043SA71 ,  4J043SB01 ,  4J043TA12 ,  4J043TB01 ,  4J043UA122 ,  4J043UA131 ,  4J043UA262 ,  4J043UA311 ,  4J043UA621 ,  4J043UB011 ,  4J043UB121 ,  4J043UB281 ,  4J043UB301 ,  4J043VA021 ,  4J043ZB22 ,  5F058AA10 ,  5F058AC07 ,  5F058AF04 ,  5F058AG01 ,  5F058AG03 ,  5F058AH02 ,  5F058AH03
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)

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