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J-GLOBAL ID：200903007316724213

プラズマエッチング方法

Inventor： 門村 新吾
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994205644
Publication number (International publication number)：1996069995
Application date： Aug. 30, 1994
Publication date： Mar. 12, 1996
Summary：

【要約】【目的】 パターン密度に疎密を有するマスクを用いて被エッチング層をパターニングする場合の、マイクロローディング効果を低減し、,パターン変換差の少ない均一なプラズマエッチング方法を提供する。【構成】 エッチングガスの解離生成物の堆積種をイオン化した状態で被エッチング基板に入射することにより、無機材料系マスク6等の疎密によらず、均一で薄い側壁保護膜の形成が可能になる。堆積物はイオウまたはポリチアジルである。【効果】 パターン密度によらない、均一な厚さの堆積物が形成されるので、密なパターン領域でのエッチングレートの低下やサイドエッチング、疎なパターン領域でテーパ形状化が防止される。エッチング終了後は側壁保護膜を基板加熱により昇華除去するので、パーティクル汚染の虞れがない。

Claim (excerpt)：

エッチングガスの解離生成物による堆積種を、イオン化して被エッチング基板に入射することにより堆積物を形成するとともに、該堆積物による側壁保護膜を形成しつつ、被エッチング層をパターニングすることを特徴とする、プラズマエッチング方法。

IPC (2)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00

FI (2)：

H01L 21/302 F ,  H01L 21/302 J

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• ドライエッチング方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-284092   Applicant：ソニー株式会社