Pat

J-GLOBAL ID：200903007326920843

磁気抵抗効果素子、薄膜磁気ヘッド、ヘッドジンバルアセンブリ、ヘッドアームアセンブリおよび磁気ディスク装置

Inventor： 水野 友人 ,  宮内 大助
Applicant, Patent owner： TDK株式会社
Agent (1)： 星宮 勝美
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004165374
Publication number (International publication number)：2005347512
Application date： Jun. 03, 2004
Publication date： Dec. 15, 2005
Summary：

【課題】磁気抵抗効果素子を構成する各層の面に対して垂直な方向に電流を流したときに大きな磁気抵抗変化を得ることができるようにする。【解決手段】MR素子5は、非磁性導電層24と、非磁性導電層24における一方の面に隣接するように配置され、外部磁界に応じて磁化の方向が変化するフリー層25と、非磁性導電層24の他方の面に隣接するように配置され、磁化の方向が固定されたピンド層23とを備えている。フリー層25は、第1の磁性層F1および第2の磁性層F2と、これら2つの磁性層F1,F2の間に配置された結合層40とを有している。第2の磁性層F2は、第1の磁性層F1よりもピンド層23に近い位置に配置され、2つの磁性層F1,F2は、結合層40を介して反強磁性的に結合している。第1の磁性層F1のバルク散乱係数βは負の値であり、第2の磁性層F2のバルク散乱係数βは正の値である。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

互いに反対側を向く2つの面を有する非磁性導電層と、 前記非磁性導電層における一方の面に隣接するように配置され、外部磁界に応じて磁化の方向が変化するフリー層と、 前記非磁性導電層の他方の面に隣接するように配置され、磁化の方向が固定されたピンド層とを備え、 前記フリー層は、それぞれ磁性材料よりなる層を含む第1および第2の磁性層と、前記第1および第2の磁性層の間に配置された非磁性材料よりなる結合層とを有し、 前記第2の磁性層は、前記第1の磁性層よりも前記ピンド層に近い位置に配置され、 前記第1および第2の磁性層は、前記結合層を介して反強磁性的に結合し、 前記第1の磁性層のバルク散乱係数は負の値であり、 前記第2の磁性層のバルク散乱係数は正の値であることを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (8)：

H01L43/08 ,  C22C19/03 ,  C22C19/07 ,  C22C38/00 ,  G11B5/39 ,  H01F10/16 ,  H01F10/32 ,  H01L43/10

FI (9)：

H01L43/08 M ,  H01L43/08 Z ,  C22C19/03 D ,  C22C19/07 D ,  C22C38/00 303Z ,  G11B5/39 ,  H01F10/16 ,  H01F10/32 ,  H01L43/10

F-Term (9)：

5D034BA03 ,  5D034BA05 ,  5D034BA11 ,  5D034BB12 ,  5D034CA08 ,  5E049AA01 ,  5E049AA04 ,  5E049AA07 ,  5E049BA12

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 磁気検出素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-036396   Applicant：アルプス電気株式会社