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J-GLOBAL ID：200903025034217350

磁気検出素子

Inventor：
長谷川 直也

About 長谷川 直也

, 
梅津 英治

About 梅津 英治


Applicant, Patent owner：
アルプス電気株式会社

About アルプス電気株式会社


Agent (1)： 野▲崎▼ 照夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002036396
Publication number (International publication number)：2003188440
Application date： Feb. 14, 2002
Publication date： Jul. 04, 2003
Summary：
【要約】【目的】 積層フェリ構造で形成されたフリー磁性層の第1の磁性層の膜構成を改良して、抵抗変化率の向上を図り、また一方向性交換バイアス磁界を大きくして、フリー磁性層の磁化制御を適切に行うことが可能な磁気検出素子を提供。【構成】 第1の磁性層43には、元素X(例えばCr)を含有する領域Cが、逆面43a側から非磁性中間層42側にかけて存在するとともに、前記非磁性中間層42との界面42aから前記逆面43a側にかけての領域の一部に、前記元素Xを含まない領域Dが存在する。これによって抵抗変化率の向上とともに、RKKY相互作用における結合磁界を大きくでき、前記フリー磁性層1の磁化制御を適切に行うことができる。
Claim (excerpt)：
反強磁性層と、前記反強磁性層に接して形成される固定磁性層と、前記固定磁性層に非磁性材料層を介して対向するフリー磁性層と、を有する積層体が設けられた磁気検出素子において、前記フリー磁性層は、前記非磁性材料層との界面と接して形成される第2の磁性層と、前記第2の磁性層と非磁性中間層を介して対向する第1の磁性層とを有して形成された積層フェリ構造であり、前記第1の磁性層には、元素X(ただし元素Xは、Cr、Ti、V、Zr、Nb、Mo、Hf、Ta、Wのうち少なくとも1種以上の元素)を含有する領域が、前記非磁性中間層との界面の逆面側から前記非磁性中間層側にかけて存在するとともに、前記非磁性中間層との界面から前記逆面側にかけての領域の一部に、前記元素Xを含まない領域が存在することを特徴とする磁気検出素子。
IPC (3)：
H01L 43/08 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/16
FI (3)：
H01L 43/08 Z ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/16
F-Term (6)：
5D034BA03 ,  5D034BA04 ,  5D034CA01 ,  5D034CA08 ,  5E049AA04 ,  5E049BA16
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (8)
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