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J-GLOBAL ID：200903007378349770

半導体装置及びその製造方法

Inventor： 斉藤 泰伸 ,  大村 一郎 ,  藤本 英俊 ,  菅原 秀人 ,  鎌倉 孝信 ,  喜多 徹 ,  垣内 頼人 ,  鈴木 拓馬
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 日向寺 雅彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005322856
Publication number (International publication number)：2007129166
Application date： Nov. 07, 2005
Publication date： May. 24, 2007
Summary：

【課題】Si基板上にワイドバンドギャップ半導体層を形成しつつ、順方向特性と逆方向特性がいずれも良好なショットキーバリアダイオードとして動作する半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】第1の半導体からなり厚み方向に貫通する穴を有する支持基板と、前記支持基板の上に設けられ前記第1の半導体よりもバンドギャップが大なる第2の半導体からなる半導体層と、前記半導体層の上に設けられたオーミック電極と、前記穴の中に露出した前記半導体層の表面に設けられたショットキー電極と、を備えたことを特徴とする半導体装置が提供される。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

第1の半導体からなり厚み方向に貫通する穴を有する支持基板と、 前記支持基板の上に設けられ前記第1の半導体よりもバンドギャップが大なる第2の半導体からなる半導体層と、 前記半導体層の上に設けられたオーミック電極と、 前記穴の中に露出した前記半導体層の表面に設けられたショットキー電極と、 を備えたことを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 29/872 ,  H01L 29/47

FI (1)：

H01L29/48 F

F-Term (19)：

4M104AA01 ,  4M104AA03 ,  4M104AA04 ,  4M104BB02 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104EE05 ,  4M104FF02 ,  4M104FF06 ,  4M104FF13 ,  4M104FF27 ,  4M104FF31 ,  4M104GG03 ,  4M104HH20

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• ショットキーバリアダイオード
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-172604   Applicant：東芝セラミックス株式会社