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J-GLOBAL ID：200903077147831348

ショットキーバリアダイオード

Inventor： 阿部 芳久 ,  鈴木 俊一 ,  中西 秀夫
Applicant, Patent owner： 東芝セラミックス株式会社
Agent (1)： 田辺 徹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002172604
Publication number (International publication number)：2004022639
Application date： Jun. 13, 2002
Publication date： Jan. 22, 2004
Summary：

【課題】基板の荒れがなく、良質な結晶のショットキーバリアダイオードを提供する。【解決手段】Si基板上にバッファー層を介してワイドバンドギャップ半導体が形成されているショットキーバリアダイオードであって、バッファー層は、立方晶リン化ホウ素層である。ワイドバンドギャップ半導体は、n型3C-SiC又はGaNである。Si基板は、低抵抗(100)単結晶シリコンで構成されている。基板がSi基板である。Niを使用して基板とワイドバンドギャップ半導体とのショットキー接合を行っている。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

基板上にバッファー層を介してワイドバンドギャップ半導体が形成されていることを特徴とするショットキーバリアダイオード。

IPC (3)：

H01L29/47 ,  H01L21/20 ,  H01L29/872

FI (3)：

H01L29/48 D ,  H01L21/20 ,  H01L29/48 M

F-Term (8)：

4M104AA07 ,  4M104BB02 ,  4M104BB05 ,  4M104CC03 ,  4M104GG03 ,  5F052JA07 ,  5F052KA01 ,  5F052KA05

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• III族窒化物半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-161182   Applicant：昭和電工株式会社
• ショットキーダイオードを作製するn-GaNウエハの選別法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-213588   Applicant：日本電信電話株式会社
• シヨットキバリアダイオード及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-248737   Applicant：サンケン電気株式会社
• SiC半導体とSiCエピタキシャル成長方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-270242   Applicant：東芝セラミックス株式会社
• ショットキ接合を有する炭化珪素半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-333551   Applicant：三洋電機株式会社
• ショットキー電極、ショットキー電極の形成方法、半導体素子、及び半導体素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-259951   Applicant：三洋電機株式会社