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J-GLOBAL ID：200903007402757361

半導体装置

Inventor：
兼八 薫

About 兼八 薫


Applicant, Patent owner：
日本プレシジョン・サーキッツ株式会社

About 日本プレシジョン・サーキッツ株式会社


Agent (1)： 松田 和子
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995114318
Publication number (International publication number)：1996316416
Application date： May. 12, 1995
Publication date： Nov. 29, 1996
Summary：
【要約】【目的】 伝送損失、分散特性あるいはクロストークを小さくすることが可能な半導体装置を提供することである。【構成】 半導体基板11の主面側に形成された第1絶縁層12と、第1絶縁層12上に形成された第1導電層13と、第1導電層13上に形成された第2絶縁層14と、第1開口部14aを通して第1導電層13に接続される第2導電層15aと、第2開口部14bを通して第1導電層13に接続される第3導電層15bと、第2絶縁層14上に形成された第4導電層16と、第2絶縁層14上、第2導電層15a上、第3導電層15b上および第4導電層16上に形成された第3絶縁層17と、第3開口部17aを通して第2導電層15aに接続され第4開口部17bを通して第3導電層15bに接続される第5導電層18とにより、同軸線路として機能する素子を形成した。
Claim (excerpt)：
半導体基板の主面側に形成された導電性のコア層と、上記コア層の周囲に絶縁層を介して形成された導電性のシールド層とにより、同軸線路として機能する素子を形成したことを特徴とする半導体装置。
IPC (3)：
H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01P 3/06
FI (2)：
H01L 27/04 D ,  H01P 3/06
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (7)
  • 特開昭61-051847
  • 特開昭63-268257
  • 特開平2-051250
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