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J-GLOBAL ID：200903007405799812
磁気記録膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法
Inventor：
,
,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：
富田 和夫
, 鴨井 久太郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003139889
Publication number (International publication number)：2004339586
Application date： May. 19, 2003
Publication date： Dec. 02, 2004
Summary：
【課題】磁気記録層を形成するためのスパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供する。【解決手段】シリカ:4〜20原子%、CrおよびPtの内の1種または2種を合計で5〜40原子%を含有し、残部:Coからなる組成を有し、シリカ相とCrおよびPtの内の1種または2種を含有するCo基合金相とが混在しているている混合相からなる組織を有する磁気記録層形成用スパッタリングターゲットにおいて、前記シリカ相は、線分法で求めた平均幅が0.5〜5μmの範囲内にあり、この時原料粉末の一つとして使用するシリカ粉末は高温火炎加水分解法で製造されたシリカ粉末またはこのシリカ粉末を表面処理した疎水性を有するシリカ粉末を使用する。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
シリカ:4〜20原子%、CrおよびPtの内の1種または2種を合計で5〜40原子%を含有し、残部:Coからなる組成を有し、シリカ相とCrおよびPtの内の1種または2種を含有するCo基焼結合金相とが混在しているている混合相からなる組織を有する磁気記録膜形成用スパッタリングターゲットであって、前記シリカ相は、線分法で求めた平均幅が0.5〜5μmの範囲内にあることを特徴とする磁気記録膜形成用スパッタリングターゲット。
IPC (2)：
FI (2)：
F-Term (11)：
4K029BA24
, 4K029BA64
, 4K029BC06
, 4K029BD11
, 4K029CA05
, 4K029DC05
, 4K029DC09
, 5D112AA05
, 5D112BB05
, 5D112FA04
, 5D112FB02
Cited by examiner (5)
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