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J-GLOBAL ID：200903007467012894
マイクロ波イオン源及びイオン打ち込み装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
武 顕次郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993113085
Publication number (International publication number)：1994325710
Application date： May. 14, 1993
Publication date： Nov. 25, 1994
Summary：
【要約】【目的】 大電流領域の多価イオンビームを発生させるイオン源及びこれを使用したイオン打ち込み装置を得る。【構成】 放電室1の内部に8極の永久磁石2で生成した多極磁場と2個のコイル3で生成したミラー磁場を形成し、真空封止用の石英窓4を通してマイクロ波5を導入してマイクロ波放電を行わせる。放電室1の中に熱フィラメント8が設けられており、これにより、マイクロ波放電により生成されたプラズマ中に電子を補給することができる。この結果、高電子密度、高電子温度のプラズマを生成することができ、10mAの桁の大電流領域の質量分離後の多価イオンビーム6を発生することができる。このような、本発明のマイクロ波イオン源をイオン打ち込み装置に使用することにより、数百keVから数MeVまでの任意のエネルギーの高エネルギーイオンビームをターゲットへ打ち込むことができる。
Claim (excerpt)：
磁場中のマイクロ波放電によって生成したプラズマからイオンを引き出すマイクロ波イオン源において、前記プラズマを生成する放電室内に電子放出用の熱フィラメントを設け、該フィラメントと前記放電室との間に直流、あるいは、交流の電圧を印加することを特徴とするマイクロ波イオン源。
IPC (5)：
H01J 37/08
, C23C 14/48
, H01J 27/18
, H01J 37/317
, H01L 21/265
Cited by examiner (5)
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