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J-GLOBAL ID：200903007474805786

直流マグネトロン型反応性スパッタ法

Inventor： 木曽田 欣弥 ,  戸内 八郎 ,  上出 雅男 ,  古屋 英二
Applicant, Patent owner： 中外炉工業株式会社
Agent (1)： 青山 葆 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994032190
Publication number (International publication number)：1995243039
Application date： Mar. 02, 1994
Publication date： Sep. 19, 1995
Summary：

【要約】【目的】 長時間にわたって安定したスパッタリングを行なうこと。【構成】 直流マグネトロン型反応性スパッタ法において、ターゲット4の裏面側に配設した磁石3の磁場を移動させて、エロージョン領域をターゲットの全表面に形成させて、ターゲット表面に反応生成層の形成を抑制して異常放電の発生を防止するとともに、さらに、マグネトロンカソード2にピーク電圧が正電圧となるパルスを含む負の直流電圧を印加してターゲット表面での異常放電の発生を二重に防止する直流マグネトロン型反応性スパッタ法。

Claim (excerpt)：

直流マグネトロン型反応性スパッタ法において、ターゲット裏面側に配設した磁石の磁場を移動させて、エロージョン領域をターゲットの全表面に形成させるとともに、マグネトロンカソードにピーク電圧が正電圧となるパルスを含む負の直流電圧を印加することを特徴とする直流マグネトロン型反応性スパッタ法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 基板にコーティングするための方法及び装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-013345   Applicant：ライボルトアクチエンゲゼルシヤフト
• 特開平2-305960
  
• 特開平4-080358