薄膜トランジスタ及びその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：北野好人
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998202099
Publication number (International publication number)：2000031493
Application date： Jul. 16, 1998
Publication date： Jan. 28, 2000
Summary：

【要約】【課題】良好なドレイン電流-ゲート電圧特性を有する薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供する。【解決手段】下地基板10上に形成され、端部の断面のテーパ角が10°〜45°であるチャネル層14と、下地基板10上及びチャネル層14上に形成され、チャネル層14に交差するゲート電極18と、ゲート電極18の両側のチャネル層14に形成されたソース/ドレイン領域22とを有している。

Claim (excerpt)：

下地基板上に形成され、端部の断面のテーパ角が10°〜45°であるチャネル層と、前記下地基板上及び前記チャネル層上に形成され、前記チャネル層に交差するゲート電極と、前記ゲート電極の両側の前記チャネル層に形成されたソース/ドレイン領域とを有することを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (2)：

H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (3)：

H01L 29/78 618 C , H01L 29/78 617 J , H01L 29/78 627 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

薄膜半導体装置およびその作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-343949 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
薄膜半導体装置およびその作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-343943 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所

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