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J-GLOBAL ID：200903007574136180
新規ポリマー及びこれを用いたレジスト組成物並びにこれを用いたパターン形成方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
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Agent (1)：
平井 順二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996257672
Publication number (International publication number)：1998060056
Application date： Sep. 06, 1996
Publication date： Mar. 03, 1998
Summary：
【要約】【課題】 200nm以下の遠紫外光、特にArFエキシマレーザ光等に対し高い透過性を有し、これをレジスト組成物用のポリマーとして使用した場合にはエッチング耐性に優れた新規ポリマー及びこれを用いた高感度で高解像性能を有する実用的なレジスト組成物並びにこれを用いたパターン形成方法の提供。【解決手段】 一般式[1]【化1】[式中、R1は水素原子又はシアノ基を表し、R2、R4及びR6は夫々独立して水素原子、低級アルキル基、ハロゲン原子、水酸基又はアルキルシリルオキシ基を表し、R3はシアノ基又はカルボン酸エステル基を表し、又、R1とR3とで脂肪族環を形成していても良く、R5は酸の作用で脱離し得る基を表し、R7は水素原子を表し、R8は置換アルキル基でエステル化されていても良いカルボキシル基、又はアミド基を表し、また、R7とR8とで結合して-CO-NH-CO-基を形成していくも良く、k及びlは夫々独立して自然数を表し、mは0又は自然数を表す。]で示されるポリマー、及び該ポリマーを含んで成るレジスト組成物、並びにこれを用いたパターン形成方法。
Claim (excerpt)：
一般式[1]【化1】[式中、R1は水素原子又はシアノ基を表し、R2、R4及びR6は夫々独立して水素原子、低級アルキル基、ハロゲン原子、水酸基又はアルキルシリルオキシ基を表し、R3はシアノ基又はカルボン酸エステル基を表し、又、R1とR3とで脂肪族環を形成していても良く、R5は酸の作用で脱離し得る基を表し、R7は水素原子を表し、R8は置換アルキル基でエステル化されていても良いカルボキシル基、又はアミド基を表し、また、R7とR8とで結合して-CO-NH-CO-基を形成していくも良く、k及びlは夫々独立して自然数を表し、mは0又は自然数を表す。]で示されるポリマー。
IPC (10)：
C08F220/26
, C08F220/04
, C08F220/42
, C08F220/54
, C08F222/40
, C08F230/08
, C08F232/04
, C09D 11/10
, C09D133/00
, H01L 21/027
C08F220/26
, C08F220/04
, C08F220/42
, C08F220/54
, C08F222/40
, C08F230/08
, C08F232/04
, C09D 11/10
, C09D133/00
, H01L 21/30 502 R
