レジストおよびこれを使った半導体装置の製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：伊東忠彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993333352
Publication number (International publication number)：1995191463
Application date： Dec. 27, 1993
Publication date： Jul. 28, 1995
Summary：

【要約】【目的】短波長の放射光に対する吸収が少なく、優れた耐ドライエッチング性を有し、しかも高感度のレジストおよびかかるレジストを使った半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。【構成】アダマンチル基を含む化学増幅型レジストに、カルボニル基を有する脂肪族エステルを配合し、構成する。

Claim (excerpt)：

アダマンチル基を含む化学増幅型レジストにおいて、カルボニル基を有する脂肪族エステルを添加したことを特徴とする化学増幅型レジスト。

IPC (5)：

G03F 7/039 501 , C08F220/16 MMG , C08K 5/07 KAQ , G03F 7/004 503 , H01L 21/027

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

レジスト材料およびそれを用いるパターン形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-060469 Applicant：富士通株式会社
特開平4-039665
特開平2-181150

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