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J-GLOBAL ID：200903022765180600
レジストおよびこれを使った半導体装置の製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
伊東 忠彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993333352
Publication number (International publication number)：1995191463
Application date： Dec. 27, 1993
Publication date： Jul. 28, 1995
Summary：
【要約】【目的】 短波長の放射光に対する吸収が少なく、優れた耐ドライエッチング性を有し、しかも高感度のレジストおよびかかるレジストを使った半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。【構成】 アダマンチル基を含む化学増幅型レジストに、カルボニル基を有する脂肪族エステルを配合し、構成する。
Claim (excerpt)：
アダマンチル基を含む化学増幅型レジストにおいて、カルボニル基を有する脂肪族エステルを添加したことを特徴とする化学増幅型レジスト。
IPC (5)：
G03F 7/039 501
, C08F220/16 MMG
, C08K 5/07 KAQ
, G03F 7/004 503
, H01L 21/027
Cited by examiner (9)
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