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J-GLOBAL ID：200903007586472526

有機薄膜トランジスタの製造方法、及び有機薄膜トランジスタ

Inventor： 小渕 礼子 ,  平井 桂
Applicant, Patent owner： コニカミノルタホールディングス株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007328437
Publication number (International publication number)：2009152355
Application date： Dec. 20, 2007
Publication date： Jul. 09, 2009
Summary：

【課題】高い移動度の有機薄膜トランジスタ、及びその製造方法を提供する。【解決手段】予めソース・ドレイン電極を形成された基板上に有機半導体材料の溶液を供給し、溶媒を揮発させることにより有機半導体薄膜を形成する有機薄膜トランジスタの製造方法において、ソース・ドレイン電極の表面を有機化合物により修飾し、且つ有機半導体材料として下記一般式(1)で示される化合物を用いる。(X1及びX2はそれぞれ独立してカルコゲン原子。nは1〜3の整数。R1及びR2はそれぞれ独立して、ハロゲン原子、C1-18アルキル基、ハロゲン原子を有するC1-18アルキル基、C1-18アルキルオキシ基、C1-18アルキルチオ基またはアリール基。)【選択図】なし

Claim (excerpt)：

予めソース・ドレイン電極を形成された基板上に有機半導体材料の溶液を供給し、溶媒を揮発させることにより有機半導体薄膜を形成する有機薄膜トランジスタの製造方法において、ソース・ドレイン電極の表面を有機化合物により修飾し、且つ有機半導体材料として下記一般式(1)で示される化合物を用いることを特徴とする有機薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (4)：

H01L 51/30 ,  H01L 29/786 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/40

FI (5)：

H01L29/28 250H ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 616U ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 310J

F-Term (56)：

5F110AA01 ,  5F110BB01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE08 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF22 ,  5F110FF23 ,  5F110FF24 ,  5F110FF25 ,  5F110FF26 ,  5F110FF27 ,  5F110FF29 ,  5F110FF30 ,  5F110GG05 ,  5F110GG25 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110GG57 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110NN03 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110QQ06 ,  5F110QQ14

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-324200   Applicant：旭化成株式会社
• 国際公開第06/077888号パンフレット