半導体装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：森哲也 , 内藤嘉昭 , 崔秀▲てつ▼
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002324200
Publication number (International publication number)：2004158709
Application date： Nov. 07, 2002
Publication date： Jun. 03, 2004
Summary：

【課題】有機化合物からなる半導体層を備えた電界効果トランジスタとして、高い増幅率を有する電界効果トランジスタを得る。【解決手段】電界効果トランジスタの半導体層4として、ピレン、ペロピレン、テリレン、アンタンスレン、クオテリレン、オバレン、コロネン、ジベンゾコロネン、テトラベンゾコロネン、ヘキサベンゾコロネン、ベンゾジコロネン、サーカムアントラセン、ビスアンテン、サーコビフェニル、およびこれらの誘導体から選択された少なくとも1つの化合物からなる薄膜を形成する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

互いにパラ位となる配置の二個の水素基を有するベンゼン環が存在しない縮合多環芳香族化合物、またはその誘導体からなる薄膜を半導体層として有する半導体装置。

IPC (2)：

H01L51/00 , H01L29/786

FI (2)：

H01L29/28 , H01L29/78 618B

F-Term (18)：

5F110AA05 , 5F110AA09 , 5F110AA14 , 5F110AA24 , 5F110CC03 , 5F110CC09 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110EE08 , 5F110GG05 , 5F110GG24 , 5F110GG32 , 5F110GG42 , 5F110HK02 , 5F110HK04 , 5F110HK21 , 5F110HK32 , 5F110QQ14

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

異方性導電性有機薄膜
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-233725 Applicant：旭化成工業株式会社
電磁波の偏波を利用した有機薄膜の製造方法および有機薄膜
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-014856 Applicant：三菱電機株式会社
有機薄膜トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-215748 Applicant：旭化成工業株式会社

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