Pat
J-GLOBAL ID:200903007613796649

半導体装置の検査装置及び半導体装置の検査方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 小川 勝男
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1994060557
Publication number (International publication number):1995273157
Application date: Mar. 30, 1994
Publication date: Oct. 20, 1995
Summary:
【要約】 (修正有)【目的】半導体装置の電気的特性の試験を、半導体装置に損傷を与えずに、かつ高精度に行うことが可能な半導体装置の検査技術を提供する。【構成】半導体装置の電気的特性を計測するテスタ15と、半導体ウエハ5Cを載置し、加熱又は冷却するウエハチャック7と、テスタ15に接続され、半導体ウエハ5Cに形成された個々の半導体チップの電極パッドを押圧して、テスタ15と半導体チップとの電気的導通を図るためのプローブ針6aを有するプローブカードとを備えた半導体装置の検査装置であって、電極パッドとプローブ針6とが接触する部分の雰囲気を、非酸化性雰囲気にさせるための、不活性ガス又は還元性ガスを供給する非酸化性気体供給手段及びノズル9を設けた。
Claim (excerpt):
半導体装置の電気的特性を計測するテスタと、半導体ウエハを載置し、該半導体ウエハを加熱又は冷却するウエハチャックと、前記テスタに接続され、前記半導体ウエハに形成された個々の半導体チップの外部接続用電極へ接触させて、前記テスタと前記半導体チップとの電気的導通を図るためのプローブ用電極を有するプローブカードとを備えた半導体装置の検査装置であって、前記外部接続用電極と前記プローブ用電極とが接触する部分の雰囲気を、非酸化性雰囲気にさせるための、不活性気体又は還元性気体を供給する手段を設けたことを特徴とする半導体装置の検査装置。
IPC (3):
H01L 21/66 ,  G01R 1/073 ,  G01R 31/26
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (7)
Show all

Return to Previous Page