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J-GLOBAL ID：200903007616808354

半導体放射線検出素子

Inventor： 佐藤 賢治 ,  佐藤 敏幸
Applicant, Patent owner： 株式会社島津製作所
Agent (1)： 西岡 義明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995247903
Publication number (International publication number)：1997092806
Application date： Sep. 26, 1995
Publication date： Apr. 04, 1997
Summary：

【要約】【課題】化合物半導体結晶の加工ダメージの影響の少ない半導体放射線検出素子を提供する。【解決手段】化合物半導体の対向する両面に共通電極12と複数の画素電極1、2、3を形成した放射線検出器において、化合物半導体結晶の周囲の辺5、6とそれに隣接する電極1、2との間にダミー電極15、16を形成し、その電位をアース電位または電極1、2と同じ電位にする。化合物半導体結晶の周辺部に存在するダメージ層4の影響がダミー電極によって阻止されるので、電極1および2が測定する放射線強度データにダメージ層4の影響が及ばない。

Claim (excerpt)：

直方体状の半導体結晶の相対する2面に形成された電極のうち少なくとも1面の電極は複数個の画素電極が行列状に等間隔で配設された半導体放射線検出素子であって、この検出素子を複数個並列してラインセンサとして構成できる半導体放射線検出素子において、前記複数個の画素電極が配設された結晶表面の4辺のうち、前記並列方向と平行な2つの辺とこれらの辺にそれぞれ隣接する画素電極列との間に、ダミー電極を配設したことを特徴とする半導体放射線検出素子。

IPC (3)：

H01L 27/14 ,  G01T 1/24 ,  H01L 31/09

FI (3)：

H01L 27/14 K ,  G01T 1/24 ,  H01L 31/00 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平3-259569
  
• 撮像装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-011343   Applicant：株式会社島津製作所
• 特開昭62-176159