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J-GLOBAL ID：200903007625926424

半導体レーザ

Inventor： 本多 正治
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社 ,  鳥取三洋電機株式会社
Agent (1)： 岡田 敬
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994279222
Publication number (International publication number)：1996139406
Application date： Nov. 14, 1994
Publication date： May. 31, 1996
Summary：

【要約】【目的】 十分かつ安定した副出射光が得られ、反射率の制御のし易い、かつ動作電流すなわち主出射光量の経時変化が少ない半導体レーザを提供する。【構成】 半導体レーザ素子と、それの少なくとも一つの発光端面の上に積層された第1層と第2層と第3層を備え、半導体レーザ素子の発振波長をλ、第1層と第2層の屈折率を各々n1とn2、aを任意の整数、bを任意の奇数とし、第1層は厚さ略a・λ/(4・n1)の低屈折率材料からなり、第2層は厚さ略b・λ/(8・n2)の高屈折率材料からなり、第3層は低屈折率材料から設けるものである。

Claim (excerpt)：

半導体レーザ素子と、それの少なくとも一つの発光端面の上に積層された第1層と第2層と第3層とを備え、前記半導体レーザ素子の発振波長をλ、前記第1層と第2層の屈折率を各々n1とn2、aを任意の整数、bを任意の奇数として、前記第1層は厚さ略a・λ/(4・n1)の低屈折率材料からなり、前記第2層は厚さ略b・λ/(8・n2)の高屈折率材料からなり、前記第3層は低屈折率材料からなる事を特徴とする半導体レーザ。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平2-144980
  
• 半導体レーザ素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-095581   Applicant：シャープ株式会社, 古河電気工業株式会社
• 特開平3-011781
  
• 特開平3-011687