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J-GLOBAL ID：200903007625926424
半導体レーザ
Inventor：
Applicant, Patent owner：
,
Agent (1)：
岡田 敬
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994279222
Publication number (International publication number)：1996139406
Application date： Nov. 14, 1994
Publication date： May. 31, 1996
Summary：
【要約】【目的】 十分かつ安定した副出射光が得られ、反射率の制御のし易い、かつ動作電流すなわち主出射光量の経時変化が少ない半導体レーザを提供する。【構成】 半導体レーザ素子と、それの少なくとも一つの発光端面の上に積層された第1層と第2層と第3層を備え、半導体レーザ素子の発振波長をλ、第1層と第2層の屈折率を各々n1とn2、aを任意の整数、bを任意の奇数とし、第1層は厚さ略a・λ/(4・n1)の低屈折率材料からなり、第2層は厚さ略b・λ/(8・n2)の高屈折率材料からなり、第3層は低屈折率材料から設けるものである。
Claim (excerpt)：
半導体レーザ素子と、それの少なくとも一つの発光端面の上に積層された第1層と第2層と第3層とを備え、前記半導体レーザ素子の発振波長をλ、前記第1層と第2層の屈折率を各々n1とn2、aを任意の整数、bを任意の奇数として、前記第1層は厚さ略a・λ/(4・n1)の低屈折率材料からなり、前記第2層は厚さ略b・λ/(8・n2)の高屈折率材料からなり、前記第3層は低屈折率材料からなる事を特徴とする半導体レーザ。
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (7)
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