フルオレンおよびアリール基を含むモノマー、オリゴマーおよびポリマー

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：葛和清司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004061666
Publication number (International publication number)：2004339193
Application date： Mar. 05, 2004
Publication date： Dec. 02, 2004
Summary：

【課題】合成するのが容易であり、高い電荷移動度を有し、半導体デバイス用の薄い、大面積のフィルムを形成するために容易に加工可能である、半導体または電荷輸送材料として用いるための新規な材料を提供する。【解決手段】本発明は、少なくとも1つの9-H,H-フルオレン基および少なくとも1つのアリーレン基を含むモノマー、オリゴマーまたはポリマーに関する。本発明はさらに、これらの製造方法、電界効果トランジスタ、エレクトロルミネセント、光起電およびセンサーデバイスを含む光学、電気光学または電子デバイスにおける半導体または電荷輸送材料としてのこれらの使用に関する。本発明はさらに、新規な材料を含む電界効果トランジスタおよび半導電性部品に関する。

Claim (excerpt)：

少なくとも1つの9-H,H-フルオレン基および少なくとも1つのアリーレンまたはヘテロアリーレン基を含む、モノマー、オリゴマーまたはポリマー。

IPC (8)：

C07D333/16 , C07D333/18 , C08G61/00 , C09K11/06 , H01L29/786 , H01L51/00 , H05B33/14 , H05B33/22

FI (14)：

C07D333/16 , C07D333/18 , C08G61/00 , C09K11/06 610 , C09K11/06 635 , C09K11/06 645 , C09K11/06 650 , C09K11/06 655 , C09K11/06 680 , H05B33/14 B , H05B33/22 B , H05B33/22 D , H01L29/78 618B , H01L29/28

F-Term (17)：

3K007AB18 , 3K007DB03 , 3K007FA01 , 4C023BA02 , 4J032BA04 , 4J032BA05 , 4J032CA43 , 4J032CB04 , 4J032CC03 , 4J032CD02 , 4J032CD08 , 4J032CE03 , 4J032CG01 , 5F110AA01 , 5F110AA30 , 5F110BB01 , 5F110GG05

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

集積回路薄膜トランジスタデバイスの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-053546 Applicant：ルーセントテクノロジーズインコーポレイテッド
置換ベンズイミダゾール類とレトロウイルス感染の治療におけるそれらの使用
Gazette classification：公表公報 Application number：特願平10-537870 Applicant：ザ・ユニヴァーシティ・オヴ・ノース・キャロライナ・アト・チャペル・ヒル, オーバーン・ユニヴァーシティ, ジョージア・ステイト・ユニヴァーシティ
特開昭61-181829

Show all

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

Return to Previous Page