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J-GLOBAL ID:200903007629803564

薄膜リチウム二次電池およびその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (2): 渡辺 征一 ,  川嶋 正章
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2007172557
Publication number (International publication number):2009009905
Application date: Jun. 29, 2007
Publication date: Jan. 15, 2009
Summary:
【課題】 電極単位面積当たりの電流密度、および電池容量密度が、共に十分高い全固体の薄膜リチウム二次電池およびその製造方法を提供する。【解決手段】 まず雰囲気制御可能な槽51内に、第1の硫化物である硫化リチウム61、第2硫化物である非金属硫化物62、硫黄63、硫化物を形成する非リチウム金属64、およびリチウム65の各蒸着材を配置し、基板1上に硫化リチウム、第2硫化物、硫黄および非リチウム金属からの蒸発物を蒸着して正極層を形成し、次に、正極層上に固体電解質層を形成し、次いで、リチウムの負極層を形成することを特徴とする。【選択図】 図2
Claim (excerpt):
気相法によって基板上に、順に、正極層、固体電解質層および負極層を形成する薄膜リチウム二次電池の製造方法であって、 雰囲気制御可能な槽内に、第1の硫化物である硫化リチウム、第2硫化物である非金属硫化物、硫黄、硫化物を形成する非リチウム金属、およびリチウムの各蒸着材を配置し、 前記基板上に、前記硫化リチウム、第2硫化物、硫黄および非リチウム金属からの蒸発物を蒸着して正極層を形成し、 次に、硫化リチウムおよび第2硫化物からの蒸発物を、前記正極層上に蒸着して、固体電解質層を形成し、 次いで、前記リチウムからの蒸発物を、前記固体電解質層上に蒸着して、負極層を形成することを特徴とする、薄膜リチウム二次電池の製造方法。
IPC (2):
H01M 10/36 ,  H01M 4/58
FI (4):
H01M10/00 117 ,  H01M4/58 101 ,  H01M10/00 107 ,  H01M10/00 102
F-Term (19):
5H029AJ02 ,  5H029AJ03 ,  5H029AK05 ,  5H029AL12 ,  5H029AM12 ,  5H029BJ03 ,  5H029BJ12 ,  5H029CJ24 ,  5H029DJ09 ,  5H029EJ07 ,  5H029HJ05 ,  5H050AA02 ,  5H050AA08 ,  5H050BA16 ,  5H050CA11 ,  5H050CB12 ,  5H050DA13 ,  5H050FA02 ,  5H050HA05
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (2) Cited by examiner (3)
  • 特開昭62-044960
  • リチウム電池
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平5-088158   Applicant:松下電器産業株式会社
  • リチウム電池
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平5-088143   Applicant:松下電器産業株式会社

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