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J-GLOBAL ID：200903007657265012
半導体装置の製造方法及び製造装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鵜沼 辰之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993317598
Publication number (International publication number)：1995176672
Application date： Dec. 17, 1993
Publication date： Jul. 14, 1995
Summary：
【要約】【目的】 半導体素子とリードフレームの半田付け不良を改善し、半導体装置の歩留まりを向上させることにある。【構成】 リードフレームに半田の濡れ性がよいニッケル合金めっきを行い、半導体素子とリードフレームの半田付け前に、リードフレームのニッケル合金めっき層上に紫外光を照射し、表面から光電子が放出される時の紫外光エネルギを計測することで、めっき表面と半田との濡れ性を評価する工程と、半田の濡れ性評価が低い場合にニッケル合金めっき層を洗浄する工程とを有する半導体装置の製造方法及び製造装置。
Claim (excerpt)：
リードフレーム表面のニッケル合金めっき層に半導体素子を半田付けする工程を有する半導体装置の製造方法において、前記半田付け工程の前に、前記ニッケル合金めっき層の半田濡れ性を評価する半田濡れ性評価工程を設けたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3)：
H01L 23/50
, C25D 5/34
, H01L 21/66
