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J-GLOBAL ID：200903007718719070

発光ダイオードおよびその製造方法

Inventor： キム ファ モク ,  カン タエ ウォン ,  チュン クワン ソー
Applicant, Patent owner： ドンゴク ユニバーシティ
Agent (4)： 鈴木 俊一郎 ,  牧村 浩次 ,  鈴木 亨 ,  八本 佳子
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004036604
Publication number (International publication number)：2005228936
Application date： Feb. 13, 2004
Publication date： Aug. 25, 2005
Summary：

【課題】 高輝度、高発光効率のGaNのLEDおよびその製造方法を提供する。【解決手段】 p-n接合GaNナノロッドのp-n接合面にInGaN量子井戸(quantum well)を差し込んで、n型GaNナノロッド31、InGaN量子井戸33、およびp型GaNナノロッド35がこの順に長手方向に連続してなるGaNナノロッド30を用いる。また、このようなGaNナノロッドを多数個アレイ状に配置して、従来の積層フィルム状のGaNのLEDに比べてさらに高輝度、高発光効率のLEDを提供する。【選択図】図1(a)

Claim (excerpt)：

基板と、 前記基板の垂直方向に形成された第1導電型のGaNナノロッド(nanorod)と、この第 1導電型のGaNナノロッドの上に形成されたInGaN量子井戸(quantum well)と、このInGaN量子井戸上に形成された第2導電型のGaNナノロッドを各々備える多数のナノロッドとからなるナノロッドアレイ(nanorod array)と、 前記ナノロッドアレイの第1導電型のGaNナノロッドに共通して連結されて電圧を印加する電極パッドと、 前記ナノロッドアレイの第2導電型のGaNナノロッド上に共通して連結されて電圧を印加する透明電極とを備える発光ダイオード。

IPC (1)：

H01L33/00

FI (1)：

H01L33/00 C

F-Term (10)：

5F041AA03 ,  5F041AA11 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA64 ,  5F041CA83 ,  5F041CA92 ,  5F041CB36 ,  5F041DA07

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 発光ダイオードの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-050052   Applicant：日新製鋼株式会社
• 特開平4-212489
  
• 発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-224341   Applicant：日亜化学工業株式会社
• GaNエピタキシャル層の成長方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-096203   Applicant：住友電気工業株式会社