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J-GLOBAL ID：200903078352770811

GaNエピタキシャル層の成長方法

Inventor： 関 壽 ,  纐纈 明伯 ,  熊谷 義直 ,  竹本 菊郎 ,  木村 浩也 ,  笠井 仁
Applicant, Patent owner： 住友電気工業株式会社
Agent (1)： 長谷川 芳樹 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001096203
Publication number (International publication number)：2002293697
Application date： Mar. 29, 2001
Publication date： Oct. 09, 2002
Summary：

【要約】【課題】 GaAs基板上に良質のGaN結晶を成長させることができるGaNのエピタキシャル成長を提供すること。【解決手段】 本発明のGaNエピタキシャル層の成長方法は、GaAs基板10にGaNバッファ層20を成長させるステップと、GaNバッファ層20を形成した温度(例えば550°C)からGaNをエピタキシャル成長すべき温度(例えば1000°C)まで、GaAs基板10を35分以内で昇温するステップと、GaNバッファ層20上にGaNエピタキシャル層30を成長させるステップと、を含んでいる。

Claim (excerpt)：

GaAs基板にGaNバッファ層を成長させるステップと、前記GaNバッファ層を形成した温度からGaNをエピタキシャル成長すべき温度まで、前記GaAs基板を35分以内で昇温するステップと、前記GaNバッファ層上にGaNエピタキシャル層を成長させるステップと、を含むことを特徴とするGaNエピタキシャル層の成長方法。

IPC (5)：

C30B 29/38 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/323 610

FI (5)：

C30B 29/38 D ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C ,  H01S 5/323 610

F-Term (44)：

4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077DB05 ,  4G077DB08 ,  4G077EA02 ,  4G077ED06 ,  4G077EF03 ,  4G077TB03 ,  4G077TB05 ,  4G077TC06 ,  4G077TC13 ,  5F041AA40 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA64 ,  5F045AA01 ,  5F045AA03 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AC03 ,  5F045AC12 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AD13 ,  5F045AF04 ,  5F045BB12 ,  5F045CA10 ,  5F045CA12 ,  5F045DA53 ,  5F045DP03 ,  5F052GC04 ,  5F052GC10 ,  5F052HA01 ,  5F052JA07 ,  5F052KA01 ,  5F052KA05 ,  5F052KA06 ,  5F073CA02 ,  5F073CB02 ,  5F073CB07 ,  5F073DA04 ,  5F073DA05 ,  5F073EA28

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• エピタキシャルウェハおよびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-078333   Applicant：住友電気工業株式会社
• GaN単結晶の作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-087962   Applicant：古河電気工業株式会社