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J-GLOBAL ID：200903007790875346

浮動セクタデータを記憶する固体メモリディスクをクリーンアップする方法

Inventor： スティーブン・ウェルズ ,  ロバート・エヌ・ハズバン
Applicant, Patent owner： インテル・コーポレーション
Agent (1)： 山川 政樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993291528
Publication number (International publication number)：1995072989
Application date： Oct. 28, 1993
Publication date： Mar. 17, 1995
Summary：

【要約】【目的】 FLASHメモリを磁気ディスクのように書込む。【構成】 固体メモリディスクをクリーンアップする方法を説明する。クリーンアップは、クリーンアップのために焦点ブロックを選択することをもって始まる。次に、宛先ブロックの中で、ユーザーデータの有効セクタを記憶するためのメモリをセクタごとに割当てる。次に、ユーザーデータを宛先ブロックにセクタごとにコピーする。その後、焦点ブロックを消去し、データの有効セクタを損失することなくダーティセクタを空きメモリに変換する。

Claim (excerpt)：

複数の不揮発性半導体メモリデバイスを含み、各々の不揮発性半導体メモリデバイスは複数のブロックを含んでおり、各不揮発性半導体メモリデバイスはブロック単位でのみ消去可能であり、各ブロックは有効ユーザーデータから成る有効セクタと、無効データから成るダーティセクタとを記憶している固体メモリディスクをクリーンアップする方法において、a)クリーンアップすべき第1のブロックを選択する過程と;b)第1のブロックの中に位置する有効セクタを記憶するのに十分な量のメモリを第2のブロックで割当てる過程と;c)第1のブロックから第2のブロックへ有効セクタをコピーする過程と;d)第1のブロックを消去する過程とから成る方法。

IPC (3)：

G06F 3/08 ,  G06F 3/06 302 ,  G11C 16/06

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• フラッシュ・ファイル・システム
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-240635   Applicant：株式会社リコー
• 半導体メモリを用いた外部記憶システム及びその制御方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-197318   Applicant：インターナシヨナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイシヨン
• 不揮発性半導体メモリのファイル構造
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-356593   Applicant：インテル・コーポレーション

Cited by examiner (1)

• フラッシュ・ファイル・システム
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-240635   Applicant：株式会社リコー