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J-GLOBAL ID:200903007791378257
磁気抵抗効果型素子およびその製造方法
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
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Agent (1):
小松 秀岳 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1993049401
Publication number (International publication number):1994268280
Application date: Mar. 10, 1993
Publication date: Sep. 22, 1994
Summary:
【要約】【目的】 磁気抵抗変化率が大きい磁気抵抗効果型素子を容易に製造することを目的とする。【構成】 常磁性元素又は反磁性元素Bと強磁性元素Aとからなる合金中に微細な強磁性体粒子を析出してなるもので、混合溶湯を急冷して凝固材とし、これを熱処理することにより強磁性体粒子を析出させることによって得る。合金は一般式:AxB<SB>1-x</SB>(A:Co,Fe、B:Cu,Au、0.01≦x<0.5)で、A又はBの0.25以下をCo,Fe又はCu,Au以外の各遷移金属元素で置換してもよい。
Claim (excerpt):
常磁性元素又は反磁性元素と強磁性元素とからなる合金中に、微細な強磁性体粒子を析出してなることを特徴とする磁気抵抗効果型素子。
IPC (3):
H01L 43/08
, G01R 33/06
, H01L 43/12
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)
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磁気抵抗素子用磁性薄膜およびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-311016
Applicant:日立マクセル株式会社
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高い磁気抵抗効果を有する構造の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-261932
Applicant:シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト
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