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J-GLOBAL ID：200903007818495293
不揮発性ランダムアクセスメモリー装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小池 晃 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997277687
Publication number (International publication number)：1999120758
Application date： Oct. 09, 1997
Publication date： Apr. 30, 1999
Summary：
【要約】【課題】 記憶密度を大幅に高めることが可能で、読み取り時間の短縮や消費電力の削減が可能な新規なメモリー装置を提供する。【解決手段】 本発明の不揮発性ランダムアクセスメモリー装置は、スピン偏極した電子の注入によってメモリー状態が切り換えられるメモリーセルが配列されてなる。メモリーセルは、具体的には、例えば第1の強磁性層と第2の強磁性層とが常磁性層を介して積層されてなり、第1の強磁性層の磁化の向きが固定されるとともに、第2の強磁性層の磁化の向きによりメモリー状態が切り換えられる。すなわち、このメモリー装置は、磁気メモリーセル内に情報を記憶する新技術としてスピン分極電子流の伝搬理論を適用したものであり、メソスコピック多層金属デバイスのアレイで組立可能である。個々のセル内のメモリー状態は強磁性膜スイッチング層の面内における磁化の2つの安定した配向の1つに対応している。これらの状態は記憶セル内にスピン偏極した電子流を注入することによりスイッチング可能である。
Claim (excerpt)：
スピン偏極した電子の注入によってメモリー状態が切り換えられるメモリーセルが配列されてなる不揮発性ランダムアクセスメモリー装置。
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)
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超高密度、不揮発性強磁性ランダム・アクセス・メモリ
Gazette classification：公表公報
Application number：特願平7-510871
Applicant：アメリカ合衆国
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電圧駆動型スピンスイッチ
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平9-102745
Applicant：新日本製鐵株式会社
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光・電子デバイス
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平4-051925
Applicant：新技術事業団
Article cited by the Patent：
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