オプトエレクトロニクス半導体装置、分布型ブラッグ反射器、及び偏光分布型ブラッグ反射器の製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：山本秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997059646
Publication number (International publication number)：1998041590
Application date： Mar. 13, 1997
Publication date： Feb. 13, 1998
Summary：

【要約】【課題】分布型ブラッグ反射器(DBR)の高い直列抵抗により起こる問題が排除或いは減少させられたDBRを提供する【解決手段】レーザ或いは発光ダイオード装置が、p-i-n構造3、4及び5と、異なる屈折率を有する層6a及び6bを交互に有する分布型ブラッグ反射器と、を含む。層6a及び6bは、導電性を有し且つ装置の発光波長において透明な、p型導電性ポリマ材料により形成される。

Claim (excerpt)：

光学的活性領域と、導電性ブラッグ反射器と、を備え、該ブラッグ反射器が、少なくとも部分的に、導電性を有するポリマ材料から形成されている、オプトエレクトロニクス半導体装置。

IPC (3)：

H01S 3/18 , H01L 33/00 , C08L101/00

FI (3)：

H01S 3/18 , H01L 33/00 , C08L101/00

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

光半導体素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-241892 Applicant：株式会社東芝

Return to Previous Page