ヴィアホールの形成方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：谷義一 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002057985
Publication number (International publication number)：2003257973
Application date： Mar. 04, 2002
Publication date： Sep. 12, 2003
Summary：

【要約】【課題】ヴィアホール金属とその上に形成される上層金属配線との接続不良を解消するためのヴィアホールの形成方法を提供すること。【解決手段】ヴィアホール開口部のレジストにベーキングを施して、レジスト側壁面と層間絶縁膜表面との成す角度が45°〜75°となるようにレジストのエッジ角度をなまらせ、この状態でヴィアホール内部に金属埋め込みを行なうこととした。更に、ヴィアホール内部に金属埋め込みを行う前に、酸素プラズマによって層間絶縁膜上のレジストを片側0.1〜0.3μmだけ横方向に後退させるとともに、レジストの厚みが0.5〜1.0μmとなるようにした。これにより方形に近いヴィアコンタクトの金属形状が得られ、ヴィアホール金属とその上に形成される上層金属配線との接続不良を解消することが可能となる。

Claim (excerpt)：

下層金属材料と上層金属材料とを電気的に導通させるためのヴィアホールの形成方法であって、層間絶縁膜を形成する第1の工程と、該絶縁膜上に塗布したレジストにヴィアホール開口部の形状をパターニングする第2の工程と、該ヴィアホール開口部パターンに基づいて前記層間絶縁膜をエッチング除去してヴィアホールを形成する第3の工程と、前記レジストに熱処理を施して該ヴィアホール開口部パターンのレジスト側壁部の角度をなまらせる第4の工程と、前記ヴィアホール内部及び前記レジスト上に金属を堆積する第5の工程と、該レジストを除去して該レジスト上の金属をリフトオフ除去する第6の工程とを備えることを特徴とするヴィアホールの形成方法。

IPC (5)：

H01L 21/3205 , G03F 7/20 521 , H01L 21/027 , H01L 21/28 , H01L 21/768

FI (5)：

G03F 7/20 521 , H01L 21/28 G , H01L 21/88 G , H01L 21/30 576 , H01L 21/90 A

F-Term (49)：

4M104AA04 , 4M104AA07 , 4M104BB06 , 4M104BB15 , 4M104CC01 , 4M104DD16 , 4M104DD17 , 4M104DD18 , 4M104DD34 , 4M104DD68 , 4M104DD71 , 4M104DD94 , 4M104FF17 , 4M104FF22 , 4M104GG06 , 4M104HH20 , 5F033HH07 , 5F033HH13 , 5F033HH18 , 5F033HH23 , 5F033JJ07 , 5F033JJ13 , 5F033JJ18 , 5F033JJ23 , 5F033MM05 , 5F033MM13 , 5F033NN05 , 5F033NN07 , 5F033PP19 , 5F033QQ08 , 5F033QQ09 , 5F033QQ13 , 5F033QQ14 , 5F033QQ21 , 5F033QQ27 , 5F033QQ28 , 5F033QQ29 , 5F033QQ33 , 5F033QQ41 , 5F033QQ43 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR08 , 5F033RR09 , 5F033RR25 , 5F033SS11 , 5F033SS22 , 5F033XX00 , 5F046LB09

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

特開平1-157554
特開昭57-169262
半導体素子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-092071 Applicant：株式会社ジャパンエナジー

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