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J-GLOBAL ID：200903007859576630

窒化ケイ素焼結体及びその製造方法

Inventor：
中畑 成二

About 中畑 成二

, 
竹内 久雄

About 竹内 久雄

, 
山川 晃

About 山川 晃


Applicant, Patent owner：
住友電気工業株式会社

About 住友電気工業株式会社


Agent (1)： 和田 昭
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995354340
Publication number (International publication number)：1996245267
Application date： Dec. 26, 1995
Publication date： Sep. 24, 1996
Summary：
【要約】【課題】 窒化ケイ素焼結体の反応焼結における窒化時間の短縮を図り、生産性を向上させると共に、反応焼結により得られる緻密で高強度の窒化ケイ素焼結体を提供する。【解決手段】 不対電子濃度が10<SP>15</SP>〜10<SP>21</SP>/cm<SP>3</SP>のSi<SB>3</SB>N<SB>4</SB>焼結体であり、市販のSi粉末を窒素以外の雰囲気中300〜800°Cで3〜5時間焼鈍して得られる不対電子濃度が10<SP>15</SP>〜10<SP>20</SP>/cm<SP>3</SP>のSi粉末を用いて反応焼結した窒化ケイ素焼結体であって、特に同粉末に焼結助剤と共に、窒素空孔形成剤として価数が特に+1〜+3価の元素で、共有結合半径RMとSiの共有結合半径RSiとが(RM-RSi)RSi<0.5の関係にある元素又はその化合物を添加し、反応焼結する方法により製造する。
Claim (excerpt)：
Si粉末の反応焼結により得られた窒化ケイ素焼結体であって、不対電子濃度が1015/cm3〜1021/cm3であることを特徴とする窒化ケイ素焼結体。
IPC (2)：
C04B 35/591 ,  C04B 35/584
FI (4)：
C04B 35/58 102 V ,  C04B 35/58 102 C ,  C04B 35/58 102 D ,  C04B 35/58 102 K
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (12)
  • 窒化珪素系焼結体
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-057055   Applicant：住友電気工業株式会社
  • 特開昭63-151679
  • 特開昭63-151679
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