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J-GLOBAL ID：200903007949859886

半導体製造プロセスのための方法とシステム

Inventor： レビイ,エディ ,  ブラウン,カイル・エイ ,  スメド,ロドニイ・シイ ,  ニコーナハッド,メールダッド ,  バルトマン,ゲーリー ,  ワック,ダン ,  フィールデン,ジョン
Applicant, Patent owner： ケーエルエー・テンコール・テクノロジーズ・コーポレーション
Agent (1)： 山川 政樹
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2002529821
Publication number (International publication number)：2004513509
Application date： Sep. 20, 2001
Publication date： Apr. 30, 2004
Summary：

要約書なし。

Claim (excerpt)：

使用時に試料の少なくとも2つの特性を判別するように構成されたシステムであって、 使用時に試料を支持するように構成されているステージと、 ステージに結合され、 使用時にエネルギーを試料の表面に向けるように構成された照明システムと、 照明システムに結合され、使用時に試料の表面から伝搬するエネルギーを検出するように構成され、測定具が使用時に検出されたエネルギーに対応して1つまたは複数の出力信号を発生するように構成されている検出システムと を備える測定具と、 測定具に結合され、使用時に1つまたは複数の出力信号から試料の第1の特性および第2の特性を判別するように構成され、第1の特性が試料の限界寸法を含み、第2の特性が試料のオーバーレイ・ミスレジストレーションを含むプロセッサと を備えるシステム。

IPC (4)：

H01L21/02 ,  H01J37/317 ,  H01L21/265 ,  H01L21/66

FI (4)：

H01L21/02 Z ,  H01J37/317 Z ,  H01L21/66 J ,  H01L21/265 T

F-Term (8)：

4M106AA01 ,  4M106BA04 ,  4M106CA41 ,  4M106DH11 ,  4M106DJ04 ,  4M106DJ06 ,  4M106DJ20 ,  5C034CD06

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 寸法測定装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-352671   Applicant：株式会社ニコン
• 重ね合わせ精度評価パターンおよびこれを用いた評価方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-297414   Applicant：ソニー株式会社