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J-GLOBAL ID：200903007951725552
光を送信しかつ/又は受信する半導体部材を製造する方法
Inventor：
,
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
矢野 敏雄 (外3名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1998509299
Publication number (International publication number)：2001501365
Application date： Aug. 13, 1997
Publication date： Jan. 30, 2001
Summary：
【要約】0≦X<1を有するGaAs<SB>x</SB>P<SB>1-x</SB>からなる少なくとも1つの半導体層を備えた、光を送信しかつ/又は受信する半導体部材を製造する方法。本発明による方法において、組成H<SB>2</SB>SO<SB>4</SB>:H<SB>2</SB>O<SB>2</SB>:H<SB>2</SB>Oのエッチング溶液による第1のエッチングステップにおいて、かつそれに続いてふっ化水素酸による第2のエッチングステップにおいて、半導体層の表面の少なくとも一部が処理されるで、半導体層の表面の少なくとも一部に荒れが生じる。
Claim (excerpt)：
0≦X<1を有するGaAs<SB>x</SB>P<SB>1-x</SB>からなる少なくとも1つの半導体層を備えた、光を送信しかつ/又は受信する半導体部材を製造する方法において、組成H<SB>2</SB>SO<SB>4</SB>:H<SB>2</SB>O<SB>2</SB>:H<SB>2</SB>Oのエッチング溶液による第1のエッチングステップにおいて、かつそれに続いてふっ化水素酸による第2のエッチングステップにおいて、半導体層の表面の少なくとも一部を処理するので、半導体層の表面の少なくとも一部に荒れ(8)が生じることを特徴とする、光を送信しかつ/又は受信する半導体部材を製造する方法。
IPC (2)：
FI (2)：
H01L 33/00 A
, H01L 31/02 A
Cited by examiner (6)
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